Single-process fabrication of group-III nitride pseudo-substrates and devices via vapor phase epitaxy using solid chlorides

使用固体氯化物通过气相外延单工艺制造 III 族氮化物伪衬底和器件

基本信息

  • 批准号:
    19H02614
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(57)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect
通过椭圆偏振和光学霍尔效应测定 β Ga2O3 及相关合金中的声子、自由载流子、激子和带间跃迁
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Schubert;A. Mock;S. Knight;M. Hilfiker;M. Stokey;V. Darakchieva;A. Papamichail;R. Korlacki;M.J. Tadjer;Z. Galazka;G. Wagner;N. Blumenschein;A. Kuramata;K. Goto;H. Murakami;Y. Kumagai;M. Higashiwaki;A. Mauze;Y. Zhang;and J. S. Speck
  • 通讯作者:
    and J. S. Speck
Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
电子束辐照对β-Ga2O3肖特基势垒二极管性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C.-H. Lin;A. Takeyama;M. Sato;N. Takekawa;K. Konishi;Y. Yuda;T. Watahiki;M. Yamamuka;H. Murakami;Y. Kumagai;T. Ohshima;and M. Higashiwaki
  • 通讯作者:
    and M. Higashiwaki
Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate
具有沟槽阶梯场板的垂直 β-Ga2O3 肖特基势垒二极管
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac620b
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Sandeep Kumar;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Masataka Higashiwaki
  • 通讯作者:
    Masataka Higashiwaki
GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正
GaN高温HVPE生长热力学分析模型的修改
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松岡 聖;坂東 もも子;大西 一生;後藤 健;新田 州吾;村上 尚;熊谷 義直
  • 通讯作者:
    熊谷 義直
ベータ酸化ガリウムHVPE成長における成長温度および供給VI/III比の影響
生长温度和进料 VI/III 比例对 β 氧化镓 HVPE 生长的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    後藤 健;三浦 遼;加茂 崇;竹川 直;村上 尚;熊谷 義直
  • 通讯作者:
    熊谷 義直
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Development of an automatic turntable-type multiple T-maze device and observation of pill bug behavior
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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Shokaku Takaharu;Moriyama Toru;Murakami Hisashi;Shinohara Shuji;Manome Nobuhito;Morioka Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Morioka Kazuyuki
ヒューマンインタフェース学におけるシチズンサイエンスの可能性
公民科学在人机界面研究中的潜力
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murakami Hisashi;Feliciani Claudio;Nishinari Katsuhiro;福森聡
  • 通讯作者:
    福森聡
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  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Niizato Takayuki;Murakami Hisashi;Sangu Kazuki;Tomaru Takenori、Sonoda Kohei、Nishiyama Yuta、Gunji Yukio-Pegio
  • 通讯作者:
    Tomaru Takenori、Sonoda Kohei、Nishiyama Yuta、Gunji Yukio-Pegio
花芽凍結観察用温度可変MRマイクロイメージングシステムの開発
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jia Xiaolu;Feliciani Claudio;Murakami Hisashi;Nagahama Akihito;Yanagisawa Daichi;Nishinari Katsuhiro;宮坂知樹,髙川直也,石川雅也,寺田康彦
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    宮坂知樹,髙川直也,石川雅也,寺田康彦

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  • 通讯作者:
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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    16K04945
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    2016
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    15H06671
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    2015
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

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  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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    22H01516
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    15J11523
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    12J02075
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    11J00249
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    10J00775
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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