Single-process fabrication of group-III nitride pseudo-substrates and devices via vapor phase epitaxy using solid chlorides
使用固体氯化物通过气相外延单工艺制造 III 族氮化物伪衬底和器件
基本信息
- 批准号:19H02614
- 负责人:
- 金额:$ 10.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(57)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect
通过椭圆偏振和光学霍尔效应测定 β Ga2O3 及相关合金中的声子、自由载流子、激子和带间跃迁
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Schubert;A. Mock;S. Knight;M. Hilfiker;M. Stokey;V. Darakchieva;A. Papamichail;R. Korlacki;M.J. Tadjer;Z. Galazka;G. Wagner;N. Blumenschein;A. Kuramata;K. Goto;H. Murakami;Y. Kumagai;M. Higashiwaki;A. Mauze;Y. Zhang;and J. S. Speck
- 通讯作者:and J. S. Speck
Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
电子束辐照对β-Ga2O3肖特基势垒二极管性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C.-H. Lin;A. Takeyama;M. Sato;N. Takekawa;K. Konishi;Y. Yuda;T. Watahiki;M. Yamamuka;H. Murakami;Y. Kumagai;T. Ohshima;and M. Higashiwaki
- 通讯作者:and M. Higashiwaki
Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate
具有沟槽阶梯场板的垂直 β-Ga2O3 肖特基势垒二极管
- DOI:10.35848/1882-0786/ac620b
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Sandeep Kumar;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Masataka Higashiwaki
- 通讯作者:Masataka Higashiwaki
GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正
GaN高温HVPE生长热力学分析模型的修改
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松岡 聖;坂東 もも子;大西 一生;後藤 健;新田 州吾;村上 尚;熊谷 義直
- 通讯作者:熊谷 義直
ベータ酸化ガリウムHVPE成長における成長温度および供給VI/III比の影響
生长温度和进料 VI/III 比例对 β 氧化镓 HVPE 生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:後藤 健;三浦 遼;加茂 崇;竹川 直;村上 尚;熊谷 義直
- 通讯作者:熊谷 義直
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- 影响因子:0
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Local perspectives of Plecoglossusaltivelis determine searching strategy
Plecoglossusaltivis的局部视角决定搜索策略
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- 影响因子:0
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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23K13807 - 财政年份:2023
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$ 10.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
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$ 10.98万 - 项目类别:
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