High speed growth of high quality, ultra-thick gallium nitride crystal using newly developed source materials

使用新开发的原材料高速生长高质量、超厚氮化镓晶体

基本信息

  • 批准号:
    16K04945
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
固体三塩化物原料を用いたGaNおよび AlGaNのトリハライド気相成長
使用固体三氯化物原料进行 GaN 和 AlGaN 的三卤化物气相生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    髙橋万智;小林真悠子;村上尚;纐纈 明伯
  • 通讯作者:
    纐纈 明伯
トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長
利用三卤化物气相外延高温生长 N 极性氮化镓
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    引田和宏,竹川直;松田華蓮;林田直人;村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 通讯作者:
    村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
High temperature growth of N-polar GaN by THVPE
THVPE 高温生长 N 极 GaN
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Daisuke Oozeki;Nao Takekawa;Naoya Kawamoto;Akira Yamaguchi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Kou Matsumoto;and Akinori Koukitu
  • 通讯作者:
    and Akinori Koukitu
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE
HVPE 在 c 面蓝宝石和 GaN 模板上异质外延生长 ε-Ga2O3 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mayuko Sato;Nao Takekawa;Keita Konishi;Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
  • 通讯作者:
    Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
Investigation of NH3 input partial pressure for N-polarity InGaN growth on GaN substrates by tri-halide vapor phase epitaxy
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.05fa01
  • 发表时间:
    2016-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Takahide Hirasaki;Tomoyasu Hasegawa;M. Meguro;Q. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
  • 通讯作者:
    Takahide Hirasaki;Tomoyasu Hasegawa;M. Meguro;Q. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Shokaku Takaharu;Moriyama Toru;Murakami Hisashi;Shinohara Shuji;Manome Nobuhito;Morioka Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Morioka Kazuyuki
ヒューマンインタフェース学におけるシチズンサイエンスの可能性
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murakami Hisashi;Feliciani Claudio;Nishinari Katsuhiro;福森聡
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    Tomaru Takenori、Sonoda Kohei、Nishiyama Yuta、Gunji Yukio-Pegio
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  • DOI:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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    Jia Xiaolu;Feliciani Claudio;Murakami Hisashi;Nagahama Akihito;Yanagisawa Daichi;Nishinari Katsuhiro;宮坂知樹,髙川直也,石川雅也,寺田康彦
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    宮坂知樹,髙川直也,石川雅也,寺田康彦

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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    $ 3.16万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    23K26148
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    24K00913
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了