Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals

使用硅纳米晶体开发导电钝化层

基本信息

  • 批准号：
    19K21110
  • 负责人：
    Gotoh Kazuhiro
  • 金额：
    $ 1.91万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-08-24 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts
Explorative Studies of Novel Structures as Carrier Selective Contacts
作为载流子选择性接触的新型结构的探索性研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryohei Tsubata;Yuta Nakagawa;Kazuhiro Gotoh;Yasuyoshi Kurokawa;Noritaka Usami
  • 通讯作者：
    Noritaka Usami
導電性保護膜および太陽電池
导电保护膜和太阳能电池
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
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  • 通讯作者：
    Tomonori Ito
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通过压制处理改善本征硅纳米颗粒薄膜，用于 p?i?n 太阳能电池
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通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An
  • 通讯作者：
    K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An
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    2020
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science & Technology A
  • 影响因子：
    2.9
  • 作者：
    Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka
  • 通讯作者：
    Usami Noritaka
イオンを利用した新しいエレクトロニクス
使用离子的新型电子产品
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nakagawa Yuta;Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;小野新平
  • 通讯作者：
    小野新平

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  • 资助金额：
    $ 1.91万
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