Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
使用硅纳米晶体开发导电钝化层
批准号：
19K21110
负责人：
Gotoh Kazuhiro
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-08-24 至 2020-03-31
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会议论文
DOI：
10.1109/pvsc45281.2020.9300609
发表时间：
2020-06
期刊：
2020 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子：
--
作者：
[Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami]
通讯作者：
Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
Explorative Studies of Novel Structures as Carrier Selective Contacts
作为载流子选择性接触的新型结构的探索性研究
作为载流子选择性接触的新型结构的探索性研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryohei Tsubata, Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami]
通讯作者：
Noritaka Usami
導電性保護膜および太陽電池
导电保护膜和太阳能电池
导电保护膜和太阳能电池
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
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批准号：20K15127
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2020
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负责人：Gotoh Kazuhiro
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依托单位：
海外基金
