Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
使用硅纳米晶体开发导电钝化层
基本信息
- 批准号:20K15127
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
DEVELOPMENT OF SILICON-NANOCRYSTALS-EMBEDDED SILICON OXIDE PASSIVATING CONTACTS FOR USE IN CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS
用于晶体硅太阳能电池的硅纳米晶体嵌入氧化硅钝化触点的开发
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Gotoh;R. Tsubata;M. Matsumi;M. Wilde;T. Inoue; Y. Kurokawa;K. Fukutani and N. Usami
- 通讯作者:K. Fukutani and N. Usami
Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts
- DOI:10.1109/pvsc45281.2020.9300609
- 发表时间:2020-06
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
- 通讯作者:Ryohei Tsubata;K. Gotoh;Y. Kurokawa;N. Usami
Study on carrier transport pathways in silicon nanocrystal/silicon oxide composite films
硅纳米晶/氧化硅复合薄膜中载流子传输路径的研究
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Asaki Arata;Kazuhiro Gotoh;Shigeru Yamada;Yasuyoshi Kurokawa;Takashi Itoh;Noritaka Usami
- 通讯作者:Noritaka Usami
Recent progress in carrier-selective materials for crystalline silicon solar cells
晶体硅太阳能电池载流子选择性材料的最新进展
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuhiro Gotoh
- 通讯作者:Kazuhiro Gotoh
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Gotoh Kazuhiro其他文献
Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I
氮化物半导体生长计算材料科学的最新进展 I
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Mochizuki Takeya;Gotoh Kazuhiro;Ohta Akio;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Miyazaki Seiichi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;Tomonori Ito - 通讯作者:
Tomonori Ito
Improving Intrinsic Silicon Nanoparticle Film by Press Treatment for use in p?i?n Solar Cells
通过压制处理改善本征硅纳米颗粒薄膜,用于 p?i?n 太阳能电池
- DOI:
10.1109/pvsc.2018.8547319 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ichihara Eiji;Kato Shinya;Akaishi Ryushiro;Gotoh Kazuhiro;Kurokawa Yasuyoshi;Kishi Naoki;Soga Tetsuo - 通讯作者:
Soga Tetsuo
Fabrication of NV centers-hosted diamond tip via FIB for scanning probe
通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An - 通讯作者:
K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition
氢等离子体处理对原子层沉积晶体硅TiOx钝化性能的影响
- DOI:
10.1116/1.5134720 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:2.9
- 作者:
Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka - 通讯作者:
Usami Noritaka
イオンを利用した新しいエレクトロニクス
使用离子的新型电子产品
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nakagawa Yuta;Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;小野新平 - 通讯作者:
小野新平
Gotoh Kazuhiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Gotoh Kazuhiro', 18)}}的其他基金
Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals
使用硅纳米晶体开发导电钝化层
- 批准号:
19K21110 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
相似海外基金
金属(Hf・Zr)/Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御
了解和控制金属(Hf/Zr)/Si半导体表面界面局部结构中硅化物的氧化反应
- 批准号:
21K04882 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
電子線蒸着・ホットウォールエピタキシ-法による金属・半導体超格子の表面・界面制御
电子束蒸发/热壁外延法金属/半导体超晶格表面/界面控制
- 批准号:
06750683 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化合物半導体表面/界面の原子・電子構造制御に関する研究
化合物半导体表面/界面原子电子结构控制研究
- 批准号:
06650352 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
半導体表面・界面欠陥準位の変調光導電率分光法による評価
使用调制光电导光谱评估半导体表面/界面缺陷水平
- 批准号:
05750027 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
S/Se処理による化合物半導体表面/界面の構造制御に関する研究
S/Se处理化合物半导体表面/界面结构控制研究
- 批准号:
04650257 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
ヘテロエピタキシャル半導体超格子薄膜の表面・界面制御に関する基礎的研究
异质外延半导体超晶格薄膜表面与界面控制基础研究
- 批准号:
01750650 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号:
X00040----220320 - 财政年份:1977
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号:
X00040----121121 - 财政年份:1976
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
偏光解析および光散乱による化合物半導体の表面界面の研究
通过偏振分析和光散射研究化合物半导体的表面和界面
- 批准号:
X00040----121118 - 财政年份:1976
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号:
X00040----021815 - 财政年份:1975
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research