Development of conductive passivation layer using silicon nanocrystals

使用硅纳米晶体开发导电钝化层

基本信息

  • 批准号:
    20K15127
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
DEVELOPMENT OF SILICON-NANOCRYSTALS-EMBEDDED SILICON OXIDE PASSIVATING CONTACTS FOR USE IN CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS
用于晶体硅太阳能电池的硅纳米晶体嵌入氧化硅钝化触点的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Gotoh;R. Tsubata;M. Matsumi;M. Wilde;T. Inoue; Y. Kurokawa;K. Fukutani and N. Usami
  • 通讯作者:
    K. Fukutani and N. Usami
Fabrication of silicon-nanocrystals-embedded silicon oxide passivating contacts
Scientists fabricate novel electrical component
科学家制造出新型电气元件
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Study on carrier transport pathways in silicon nanocrystal/silicon oxide composite films
硅纳米晶/氧化硅复合薄膜中载流子传输路径的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Asaki Arata;Kazuhiro Gotoh;Shigeru Yamada;Yasuyoshi Kurokawa;Takashi Itoh;Noritaka Usami
  • 通讯作者:
    Noritaka Usami
Recent progress in carrier-selective materials for crystalline silicon solar cells
晶体硅太阳能电池载流子选择性材料的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazuhiro Gotoh
  • 通讯作者:
    Kazuhiro Gotoh
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  • 通讯作者:
    Tomonori Ito
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  • 影响因子:
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    Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
  • 通讯作者:
    K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition
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    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.9
  • 作者:
    Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka
  • 通讯作者:
    Usami Noritaka
イオンを利用した新しいエレクトロニクス
使用离子的新型电子产品
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakagawa Yuta;Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;小野新平
  • 通讯作者:
    小野新平

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  • 通讯作者:
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    1994
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
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  • 资助金额:
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    X00040----220320
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
  • 批准号:
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  • 财政年份:
    1976
  • 资助金额:
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  • 批准号:
    X00040----121118
  • 财政年份:
    1976
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
  • 批准号:
    X00040----021815
  • 财政年份:
    1975
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
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知道了