エレクトレット絶縁膜による半導体ナノワイヤの熱電性能増強への挑戦

使用驻极体绝缘膜增强半导体纳米线热电性能的挑战

基本信息

  • 批准号:
    23K17881
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-06-30 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

磯野 吉正其他文献

モノリシック集積コアシェルSiナノワイヤ架橋構造の熱起電力評価
单片集成核壳硅纳米线交联结构的热电动势评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上杉 晃生;西依 脩祐;菅野 公二;磯野 吉正
  • 通讯作者:
    磯野 吉正
微小流路による微小管集団運動の制御
通过微通道控制微管集体运动
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上杉 晃生;西依 脩祐;菅野 公二;磯野 吉正;井上 大介
  • 通讯作者:
    井上 大介
MACE表面ナノホールのシリコンナノワイヤ垂直成長促進効果
MACE表面纳米孔促进硅纳米线垂直生长的效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上杉 晃生;西依 脩佑;菅野 公二;磯野 吉正
  • 通讯作者:
    磯野 吉正
コアシェル構造SiCナノワイヤの界面静電場によるピエゾ抵抗効果の制御
核壳结构SiC纳米线中界面静电场控制压阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上杉 晃生;仲田 進哉;菅野 公二;磯野 吉正
  • 通讯作者:
    磯野 吉正
有機合成化学者が挑む電子顕微鏡科学
合成有机化学家研究电子显微镜科学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上杉 晃生;仲田 進哉;菅野 公二;磯野 吉正;中室貴幸
  • 通讯作者:
    中室貴幸

磯野 吉正的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('磯野 吉正', 18)}}的其他基金

ナノ半導体の界面キャリア密度が弾性歪み誘起電気伝導特性に及ぼす影響評価
纳米半导体界面载流子密度对弹性应变诱导导电性能影响的评估
  • 批准号:
    24K00762
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
表面ポテンシャル変調を考慮した半導体ナノ細線の弾性歪み誘起電気伝導特性の解明
考虑表面电位调制的半导体纳米线弹性应变诱导的导电特性的阐明
  • 批准号:
    21H01212
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
  • 批准号:
    2347035
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Semiconductor on Nitride PhoXonic Integrated Circuit (SONIC) Platform for Chip-Scale RF and Optical Signal Processing
职业:用于芯片级射频和光信号处理的氮化物 PhoXonic 集成电路 (SONIC) 平台上的半导体
  • 批准号:
    2340405
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了