全固体電池の性能向上のための電荷移動制御
全固体電池の性能向上のための電荷移動制御
批准号:
23KF0141
负责人:
杉山 正和
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-09-27 至 2026-03-31
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会议论文
Efficiency improvement of semiconductor photocatalysts by multi-dimensional band endineering
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批准号:21H04551
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.46万
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财政年份:2021
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
量子井戸中間バンド太陽電池の作製と光学的評価
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批准号:14F04724
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築
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批准号:19026003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2007
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
絶縁膜直接成長と表面その場観察によるSi上(In)GaAs MOSFETの作製
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批准号:07F07376
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2007
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
超臨界流体を用いた大規模集積回路用高機能薄膜形成プロセスの開発
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批准号:15760566
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2003
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
金ナノ粒子のレーザー誘起核発生過程のその場観察
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批准号:13750711
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討
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批准号:97J07861
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:杉山 正和
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依托单位: