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その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築

利用原位观察和组合方法构建化合物半导体/硅界面控制方法

基本信息

批准号：
19026003
负责人：
杉山正和
金额：
$ 1.6万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19026003/
关键词：
有機金属気相成長 InGaAs 微小領域選択成長組成分布初期核発生

项目摘要

(1)シリコン上のIII-V結晶層核発生温度の観察Si上のInAsとGaAsの核発生温度を測定するため,それぞれの原料を供給しながら基板を昇温し,表面反射率を測定した.Si上にIII-V層の核が発生すると表面反射率が変化するので,核発生が開始する温度を判定できる.InAsは400℃で核発生が開始するのに対し,GaAsは450℃以上にならないと核発生しない.このようにInAsの方がGaAsよりも核発生しやすい傾向は610℃でIn,Ga,Asの原料を同時供給したときにも共通すると考えられる.(2)微小領域選択成長で得たIn_<1-x>Ga_xAsの構造解析原料分圧の違いによりIn_<1-x>Ga_xAsは横方向成長あるいは縦方向成長を示す.しかし,いずれの場合にも,成長初期核のXRDからは,ほぼInAsが核発生していることがわかる.これは,前節で述べたようにInAsの核発生がGaAsに比べて容易であることによる.十分成長を行った後のXRDからは,縦方向成長の場合に結晶組成はほぼInAsのままであるのに対し,横方向成長の場合はGa組成が増える方向に組成が不均一化していくことがわかる.マイクロXRDによる分析の結果,In_<1-x>Ga_xAsアイランドの中央付近はよりInリッチな組成になっていることが示唆された.以上のことから,In_<1-x>Ga_xAsの横方向成長においては,Si上にInAsが核発生し,Ga取り込み量を増やしながらの横方向成長すると考えられる.一方,縦方向成長の場合,Gaは原料を供給しているにも関わらず(Ga原料の分圧が低いため)結晶には取り込まれないと考えられる.このように,横方向成長には結晶へのGaの取り込みが本質的な役割を果たしていると考えられる.

(1) the temperature measurement of the III-V nuclei on the Si, the temperature measurement of the GaAs nuclei on the Si, the temperature measurement of the raw materials for the substrate, and the surface reflectivity measurement on the substrate. The surface reflectivity of the III-V on Si is measured by the surface reflectivity analyzer. The temperature at the beginning of the nuclear reactor is determined. The temperature of the GaAs is above 400 ℃. The temperature of the nuclear plant is above 450C. In the InAs system, the GaAs equipment is available to the In,Ga,As raw materials at the same time. (2) the small field is selected for long-term in _ & lt;1-x>Ga_xAs analysis of raw material fractions. In _ & lt;1-x>Ga_xAs growth direction indicates that the raw material is growing horizontally. In the early stage of growth, XRD and InAs were born and developed in the same period. It is easier to generate InAs than to generate GaAs in the previous section. After a long period of time, the XRD temperature is high, the direction growth is combined with the crystal structure, and the transverse growth direction is the same as that of the Ga component. According to the results of the XRD analysis, the central government of In_<1-x>Ga_xAs has paid a lot of money to make sure that the In system is in good condition. Above all, the In_<1-x>Ga_xAs grows horizontally, the InAs on the Si, and the Ga examines the growth in the horizontal direction. On one side, the direction of the growth is combined, and the raw materials of Ga are supplied to the temperature control system (Ga raw materials are low temperature). In order to improve the quality of the system, the growth direction of the system is very high. The growth of the crystal in the direction of the Ga is based on the operation of the system.