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化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討

化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討
化合物半导体气相生长工艺与干法刻蚀工艺反应工程对比研究
批准号：
97J07861
负责人：
杉山 正和
金额：
$1.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 1999
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-97J07861/
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全固体電池の性能向上のための電荷移動制御
  • 批准号：
    23KF0141
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    杉山 正和
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Efficiency improvement of semiconductor photocatalysts by multi-dimensional band endineering
  • 批准号：
    21H04551
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $27.46万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    杉山 正和
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
量子井戸中間バンド太陽電池の作製と光学的評価
  • 批准号：
    14F04724
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    杉山 正和
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築
  • 批准号：
    19026003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    杉山 正和
  • 依托单位：
    The University of Tokyo