絶縁膜直接成長と表面その場観察によるSi上(In)GaAs MOSFETの作製
通过绝缘膜直接生长和表面原位观察在硅上制作(In)GaAs MOSFET
基本信息
- 批准号:07F07376
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
III-V族化合物半導体の高電子移動度を用いた高速・低消費電力電界効果トランジスタを実現するための基礎検討として,チャネル材料であるInPに着目して,酸化膜形成前の基板表面パッシベーションによる半導体/絶縁膜界面の準位低減を目指して研究を行った.有機金属気相成長によりInPを成長した後に,反応器から基板を取り出さずに行える表面パッシベーション処理として,H2Sによる表面S終端を考案し,その効果を実証した.H2Sにより300℃にてS終端したInP(001)表面を,大気暴露後にXPSにより観察した結果,InおよびPの酸化物がまったく検出されず,S終端が表面パッシベーションとして有効に機能することが実証された.さらに,表面のフォトルミネッセンスを測定した結果,S終端により蛍光強度が増大しており,S終端がInP表面の欠陥を終端して表面準位を低減することが示唆された.このような表面終端の化学的メカニズムをXPSスペクトルから解析したところ,表面近傍のInとSが結合を形成しており,表面からのP脱離により形成されたInのダングリングボンドが,S終端により効果的に終端されるものと考えられた.本結果は,InPを電子チャネル層に用いたMOSFETの結晶層形成プロセスに応用可能なプロセスの改善策を提案するものである.
The basic research of high electron mobility of III-V compound semiconductors for high speed and low power consumption, and the realization of high electron mobility of III-V compound semiconductors for high electron mobility of III-V compound semiconductors are carried out. After the organic metal phase growth of InP, the substrate was removed from the substrate, and the surface was treated with H2S. The surface S terminal was examined. The results were verified. H2S was 300℃. The S terminal was observed on the InP(001) surface. XPS results showed that the acidity of InP was detected. S terminal has a function of surface protection and can be verified. As a result of the measurement, the intensity of light at the S terminal increases, and the surface alignment at the S terminal decreases. The chemical composition of the surface terminal is characterized by XPS analysis, in which In and S are bound near the surface, and in which P is detached from the surface. The results suggest that the InP electron transfer layer can be used to form a crystalline layer in MOSFET.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Investigation on GaAs surface treated with dimethylaluminumhydride
- DOI:10.1063/1.3268450
- 发表时间:2009-11
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Hongliang Lu;Xiao-Liang Wang;M. Sugiyama;Y. Shimogaki
- 通讯作者:Hongliang Lu;Xiao-Liang Wang;M. Sugiyama;Y. Shimogaki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
杉山 正和其他文献
エピタキシャルリフトオフによる薄膜多重量子井戸太陽電池の開発
外延剥离技术开发薄膜多量子阱太阳能电池
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
中田 達也;渡辺 健太郎;宮下 直也;ソダーバンル ハサネット;岡田 至崇;中野 義昭;杉山 正和 - 通讯作者:
杉山 正和
人口転位網を内包したSOI-MOSFETの単電子輸送特性
人工位错网络SOI-MOSFET的单电子输运特性
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
森祐樹;櫻庭政夫;室田淳一;土屋敏章;木村 滋;土屋敏章;杉山 正和;笠井 勇希 - 通讯作者:
笠井 勇希
Pt櫛形電極を形成したSrTiO3モデル光触媒における水分解反応
Pt梳状电极SrTiO3模型光催化剂中的水分解反应
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
沈 昊哉;遠藤 達朗;嶺岸 耕;杉山 正和 - 通讯作者:
杉山 正和
Pt櫛型電極を水素生成サイトとするGaNモデル光触媒の解析
以Pt梳状电极为产氢点的GaN模型光催化剂分析
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
遠藤 達朗;沈 昊哉;嶺岸 耕;杉山 正和 - 通讯作者:
杉山 正和
杉山 正和的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('杉山 正和', 18)}}的其他基金
全固体電池の性能向上のための電荷移動制御
电荷转移控制提高全固态电池性能
- 批准号:
23KF0141 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Efficiency improvement of semiconductor photocatalysts by multi-dimensional band endineering
通过多维能带工程提高半导体光催化剂的效率
- 批准号:
21H04551 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
量子井戸中間バンド太陽電池の作製と光学的評価
量子阱中带太阳能电池的制造和光学评估
- 批准号:
14F04724 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築
利用原位观察和组合方法构建化合物半导体/硅界面控制方法
- 批准号:
19026003 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
超臨界流体を用いた大規模集積回路用高機能薄膜形成プロセスの開発
利用超临界流体开发大规模集成电路高性能薄膜形成工艺
- 批准号:
15760566 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
金ナノ粒子のレーザー誘起核発生過程のその場観察
激光诱导金纳米粒子成核过程的原位观察
- 批准号:
13750711 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討
化合物半导体气相生长工艺与干法刻蚀工艺反应工程对比研究
- 批准号:
97J07861 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
レーザー表面処理を用いた3Dプリント複合材による自己融着接手の開発
使用激光表面处理的 3D 打印复合材料开发自熔接头
- 批准号:
24K08053 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
鋼材の水素侵入量可視化に基づく優れた耐水素脆化を有する新規省資源表面処理法の開発
基于钢铁材料氢渗入量的可视化,开发出具有优异抗氢脆性的新型资源节约型表面处理方法
- 批准号:
24K01206 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
物体の表面処理の分布を利用した分子気体流デバイスの開発
利用物体表面处理分布的分子气体流动装置的开发
- 批准号:
24K07303 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
表面処理効果を考慮した各種金属材料の最適設計手法の確立
考虑表面处理效果的各种金属材料优化设计方法的建立
- 批准号:
24KJ1725 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
親水性表面の保護と骨誘導能を有する歯科インプラント体表面処理技術の開発
具有亲水表面保护和骨诱导能力的牙种植体表面处理技术的开发
- 批准号:
24K12981 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
鉛ハライドペロブスカイトの表面処理による表面/界面機能制御
通过卤化铅钙钛矿表面处理控制表面/界面功能
- 批准号:
24K08066 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新規表面処理とレーザプロセスの融合による次世代超高耐食・機能性ステンレス鋼の開発
结合新型表面处理与激光加工开发新一代超高耐腐蚀功能不锈钢
- 批准号:
24K01223 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
金属の電解析出における水素発生反応を制御した次世代型機能性表面処理膜の開発
开发控制金属电解沉积过程中氢生成反应的下一代功能性表面处理膜
- 批准号:
24K01217 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
異種材料接合の表面処理における固体ソースH2Oプラズマ分布均一化のための改良
异种材料键合表面处理中均匀固体源H2O等离子体分布的改进
- 批准号:
24H02547 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
A PCB Surface Finish for the 21st Century
21 世纪的 PCB 表面处理
- 批准号:
10075488 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant for R&D














{{item.name}}会员




