金ナノ粒子のレーザー誘起核発生過程のその場観察
金ナノ粒子のレーザー誘起核発生過程のその場観察
批准号:
13750711
负责人:
杉山 正和
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2002
中文摘要
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英文摘要
咋年度作成した装置を用い、Au^<3+>イオンの308nmパルスレーザー光照射による還元過程を紫外可視光吸収スペクトルの変化としてその場観察した。光還元の過程を、(1)240および300nm付近に現れるAu^<3+>イオンに由来する吸収ピークの減少、(2)400〜900nmに幅広く現れる粒径数nmの微細な粒子による光散乱、(3)520〜600付近に現れる粒径約5nm以上の粒子による表面プラズモン吸収の増加、および(4)粒径の変化による表面プラズモン吸収ピーク波長の変化、として観察した。原料濃度の指標として240nmの吸収を、生成した金微粒子濃度の指標として450nmの吸収を用い、それぞれの時間変化を追跡した。原料濃度の減少速度は、還元初期では原料濃度に関する1次の過程で説明できた。また、レーザー強度、パルス周波数に関しても1次であると結論できた。しかし、還元が進むにつれて、中間生成物(1)(Au^+イオンであると推測される)からの逆反応が無視できなくなった。逆反応については、レーザー照射を止めた後のAu^<3+>濃度の再上昇過程を解析した結果、中間生成物(1)濃度に対して2次の過程であると結論された。また、この過程にはレーザー光は関与していないと考えられる。微粒子は、中間生成物(1)から生じた中間生成物(2)(原子状の金ではないかと推測している)が核発生して生じると考えられる。金微粒子濃度の増加する初期過程は、原料濃度に対して0次であった。すなわち、原料濃度が低いほど微粒子への転化は迅速になった。レーザー光還元によって生じた粒子は熱還元によって生じた粒子よりも小さい平均粒径(8nm程度)を持つことがわかった。また、レーザー強度が強いほど平均粒径は小さく、分布も狭くなった。これは、粒子の成長と同時に、レーザー光による粒子の微細化が起こっているためであると考えられる。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
M.Sugiyama, S.Inasawa, T.Hirose, T.Yonekawa, A.Takami, T.Omatsu, S.Koda: "Optical recording media using laser-induced size reduction of Aunanoparticles"Applied Physiscs Letters. 79. 1528-1530 (2001)
M.Sugiyama、S.Inasawa、T.Hirose、T.Yonekawa、A.Takami、T.Omatsu、S.Koda:“使用激光诱导 Aunano 粒子尺寸减小的光学记录介质”应用物理学快报。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
全固体電池の性能向上のための電荷移動制御
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批准号:23KF0141
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2023
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
Efficiency improvement of semiconductor photocatalysts by multi-dimensional band endineering
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批准号:21H04551
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.46万
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财政年份:2021
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
量子井戸中間バンド太陽電池の作製と光学的評価
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批准号:14F04724
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
その場観察・コビナトリアル手法による化合物半導体/シリコン界面制御法の構築
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批准号:19026003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2007
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
絶縁膜直接成長と表面その場観察によるSi上(In)GaAs MOSFETの作製
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批准号:07F07376
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2007
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
超臨界流体を用いた大規模集積回路用高機能薄膜形成プロセスの開発
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批准号:15760566
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2003
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討
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批准号:97J07861
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:杉山 正和
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依托单位:
海外基金