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耐放射線集積回路における吸収線量に応じたクロックスキュー最適化法

耐放射線集積回路における吸収線量に応じたクロックスキュー最適化法
耐辐射集成电路中根据吸收剂量的时钟偏差优化方法
批准号:
24H00693
负责人:
渡邊 実
金额:
$30.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2027-03-31
关键词:

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光電子ウエハースケールVLSIと光ブローバーの研究
  • 批准号:
    22K18415
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额:
    $16.56万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    渡邊 実
  • 依托单位:
Multi-context scrubbing for radiation-hardened optoelectronic devices with 1 Grad TID tolerance
  • 批准号:
    21H03407
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $10.9万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    渡邊 実
  • 依托单位:
光VLSIにおける配線を利用した光シールド技術の開発
ダイナミック差分再構成型ゲートアレイ
  • 批准号:
    16760275
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.37万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    渡邊 実
  • 依托单位: