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Development of nanofreezer substrate for realizing room-temperature operation of single-electron and spin devices

Development of nanofreezer substrate for realizing room-temperature operation of single-electron and spin devices
开发用于实现单电子和自旋器件室温运行的纳米冷冻基板
批准号：
24651168
负责人：
IKEDA Hiroya
金额：
$2.58万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24651168/
关键词：
熱電変換ベルチェ冷却ナノワイヤ量子効果デバイスペルチェ冷却

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極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築
超薄SOI薄膜塞贝克系数控制及纳米结构热电性能测量技术构建
DOI： --
发表时间： 2014
期刊： 信学技報
影响因子： --
作者： [F. Salleh, T. Oda, Y. Suzuki, Y. Kamakura, H. Ikeda, 池田浩也，鈴木悠平，三輪一聡，ファイズ・サレ]
通讯作者： 池田浩也，鈴木悠平，三輪一聡，ファイズ・サレ
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by x-ray penetration method
X射线穿透法研究Si溶入Ge熔体过程及SiGe生长机理
DOI： --
发表时间： 2013
期刊： 信学技報
影响因子： --
作者： [M. Omprakash, M. Arivanandhan, R.A. Kumar, H. Morii, T. Aoki, T. Koyama, Y. Momose, H. Ikeda, H. Tatsuoka, Y. Okano, T. Ozawa, Y. Inatomi, S.M. Babu, Y. Hayakawa]
通讯作者： Y. Hayakawa
Well-oriented pyrazine lines and arrays on Si(001) formed by thermal activation of substrate
通过衬底热激活在 Si(001) 上形成良好取向的吡嗪线和阵列
DOI： 10.1021/jp300101t
发表时间： 2012
期刊： Journal of Physical Chemistry C
影响因子： 3.7
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多晶SiGe的塞贝克系数及其声子阻力贡献
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [V. Manimuthu, M. Omprakash, Y. Suzuki, F. Salleh, M. Arivanandhan, Y. Kamakura, Y. Hayakawa, H. Ikeda]
通讯作者： H. Ikeda
共 81 条
    High-efficiency thermoelectric devices with Si nanostructures and their measurement techniques
    • 批准号：
      21360336
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Development of high-efficiency thermoelectric module using Si nanowier structures
    • 批准号：
      19560701
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Control of single-electron-tunneling characteristics in Si multidot structure for applying to nanodot automaton
    • 批准号：
      15360163
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.98万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University