Development of nanofreezer substrate for realizing room-temperature operation of single-electron and spin devices

开发用于实现单电子和自旋器件室温运行的纳米冷冻基板

基本信息

  • 批准号:
    24651168
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(94)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築
超薄SOI薄膜塞贝克系数控制及纳米结构热电性能测量技术构建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F. Salleh;T. Oda;Y. Suzuki;Y. Kamakura;H. Ikeda;池田浩也,鈴木悠平,三輪一聡,ファイズ・サレ
  • 通讯作者:
    池田浩也,鈴木悠平,三輪一聡,ファイズ・サレ
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by x-ray penetration method
X射线穿透法研究Si溶入Ge熔体过程及SiGe生长机理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Omprakash;M. Arivanandhan;R.A. Kumar;H. Morii;T. Aoki;T. Koyama;Y. Momose;H. Ikeda;H. Tatsuoka;Y. Okano;T. Ozawa;Y. Inatomi; S.M. Babu;Y. Hayakawa
  • 通讯作者:
    Y. Hayakawa
Well-oriented pyrazine lines and arrays on Si(001) formed by thermal activation of substrate
通过衬底热激活在 Si(001) 上形成良好取向的吡嗪线和阵列
  • DOI:
    10.1021/jp300101t
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Takuma Omiya;Hirokazu Yokohara;Masaru Shimomura
  • 通讯作者:
    Masaru Shimomura
Adsorption of pyrazine on a Si(001) surface partially covered with an indium dimer structure
吡嗪在部分被铟二聚体结构覆盖的 Si(001) 表面上的吸附
  • DOI:
    10.1143/jjap.51.055703
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Masaru Shimomura;Chihiro Kunihara
  • 通讯作者:
    Chihiro Kunihara
Seebeck coefficient of poly-crystalline SiGe and its phonon-drag contribution
多晶SiGe的塞贝克系数及其声子阻力贡献
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    V. Manimuthu;M. Omprakash;Y. Suzuki;F. Salleh;M. Arivanandhan;Y. Kamakura;Y. Hayakawa;H. Ikeda
  • 通讯作者:
    H. Ikeda
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

IKEDA Hiroya其他文献

大動脈解離モデルにおける偽腔内の血流と血管壁への負荷
主动脉夹层模型中假腔内的血流和血管壁上的负荷
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    KANSAKU Daiki;KAWASE Nobuhiro;FUJIWARA Naoki;KHAN Faizan;KRISTY Arockiyasamy Periyanayaga;NISHA Kuruvankatil Dharmajan;YAMAKAWA Toshitaka;IKEDA Kazushi;HAYAKAWA Yasuhiro;MURAKAMI Kenji;SHIMOMURA Masaru;IKEDA Hiroya;坪子侑佑
  • 通讯作者:
    坪子侑佑
Output Power Characterization of Flexible Thermoelectric Power Generators
柔性热电发电机的输出功率特性
  • DOI:
    10.1587/transele.2021fus0003
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.5
  • 作者:
    KANSAKU Daiki;KAWASE Nobuhiro;FUJIWARA Naoki;KHAN Faizan;KRISTY Arockiyasamy Periyanayaga;NISHA Kuruvankatil Dharmajan;YAMAKAWA Toshitaka;IKEDA Kazushi;HAYAKAWA Yasuhiro;MURAKAMI Kenji;SHIMOMURA Masaru;IKEDA Hiroya
  • 通讯作者:
    IKEDA Hiroya

IKEDA Hiroya的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('IKEDA Hiroya', 18)}}的其他基金

High-efficiency thermoelectric devices with Si nanostructures and their measurement techniques
硅纳米结构高效热电器件及其测量技术
  • 批准号:
    21360336
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of high-efficiency thermoelectric module using Si nanowier structures
利用硅纳米结构开发高效热电模块
  • 批准号:
    19560701
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of single-electron-tunneling characteristics in Si multidot structure for applying to nanodot automaton
硅多点结构中单电子隧道特性的控制及其应用于纳米点自动机
  • 批准号:
    15360163
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了