High-efficiency thermoelectric devices with Si nanostructures and their measurement techniques

硅纳米结构高效热电器件及其测量技术

• 批准号: 21360336
• 负责人: IKEDA Hiroya
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360336/
• 关键词: 熱電変換材料; シリコンナノ構造; ゼーベック係数; SOI基板; KFM(表面電位顕微鏡)

Our research goals are the enhancement of Si thermoelectric characteristics by nanosturcturing and the construction of a novel technique characterizing the nanostructured materials. We found that Seebeck coefficient(thermoelectromotive force at a temperature deference of 1OC) of ultrathin Si is ruled by an impurity band and that Seebeck coefficient is controllable by external bias. Moreover, We have successfully obtained the Si Seebeck coefficient by surface-potential microscopy.

我们的研究目标是通过纳米结构增强硅的热电特性，并构建一种新的表征纳米结构材料的技术。我们发现超薄Si的Seebeck系数(温差为1oC时的温差电动势)由杂质带控制，而Seebeck系数受外偏压控制。此外，我们还用表面电势显微镜成功地获得了硅的塞贝克系数。

项目成果

高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数

高杂质浓度SOI衬底的塞贝克系数

• 发表时间: 2010
• 期刊: 信学技報 ED2009-197, SDM2009-194
• 作者: 池田浩也;ファイズ・サレ
• 通讯作者: ファイズ・サレ

バルク半導体及び超格子のゼーベック係数計算法

体半导体和超晶格的塞贝克系数计算方法

• 发表时间: 2009
• 作者: 石田明広;井上翼;池田浩也;木太拓志
• 通讯作者: 木太拓志

Variation of SOI Seebeck coefficient by applying external bias

施加外部偏置时 SOI 塞贝克系数的变化

• 发表时间: 2011
• 作者: Faiz Salleh;Kazutoshi Miwa;Hiroya Ikeda
• 通讯作者: Hiroya Ikeda

Construction of Seebeck-Coefficient Measurement by Kelvin-Probe Force Microscopy

开尔文探针力显微镜塞贝克系数测量的构建

• 发表时间: 2011
• 作者: Hiroya Ikeda;Kazutoshi;Miwa;Faiz Salleh
• 通讯作者: Faiz Salleh

KFMを利用したゼーベック係数測定技術の開発

利用KFM开发塞贝克系数测量技术

• 发表时间: 2010
• 作者: 三輪一聡;ファイズ・サレ;池田浩也
• 通讯作者: 池田浩也