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Development of high-efficiency thermoelectric module using Si nanowier structures

Development of high-efficiency thermoelectric module using Si nanowier structures
利用硅纳米结构开发高效热电模块
批准号：
19560701
负责人：
IKEDA Hiroya
金额：
$2.91万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560701/
关键词：
熱電変換材料シリコンナノ構造ゼーベック係数SOI基板KFM(表面電位顕微鏡)表面電位顕微鏡(KFM)単電子冷却

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本研究では, シリコン微細加工技術を礎として, ナノ構造の導入によりシリコン系熱電変換材料の性能指数の向上を目指した.(1)ナノメートルサイズまで薄層化したn型SOI層におけるゼーベック係数の測定を行い, キャリア濃度に対するユニバーサルカーブを得た. そのカーブはバルクシリコンの結果と一致しており, SOI構造に由来する効果は特に見られなかった. また、高不純物濃度領域(3×10^(19) cm^(-3) 以上)において, ゼーベック係数の向上が観察された. これは, 不純物バンドの形成が原因であると考えられる.(2)KFM(表面電位顕微鏡)を用いて, 温度差を与えたシリコン基板の表面電位を測定しゼーベック係数を評価したところ, S=-0.71 mV/K が得られた. この値は, これまでの測定方法で得られた値に近い値であり, KFMによりナノ構造材料のゼーベック係数測定が可能であることを示した.
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会议论文
SOI基板におけるゼーベック係数
SOI 衬底中的塞贝克系数
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [池田浩也, ファイズサレ, 浅井清涼]
通讯作者： 浅井清涼
Siナノ構造の熱電特性
硅纳米结构的热电性能
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [山下 尚見, 池田 浩也]
通讯作者： 池田 浩也
Electrical manipulation of individual dopants and electrons in silicon nanowire field-effect transistors
硅纳米线场效应晶体管中单个掺杂剂和电子的电操纵
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [橋本彰博, 松下朋哉, Rusdin Andi, 小松利光, Daniel Moraru]
通讯作者： Daniel Moraru
Thermoelectric characteristics of ultrathin SOI layers
超薄SOI层的热电特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [ファイズサレ, 浅井清涼, 池田浩也, H. Ikeda, H. Ikeda]
通讯作者： H. Ikeda
共 21 条
    Development of nanofreezer substrate for realizing room-temperature operation of single-electron and spin devices
    • 批准号：
      24651168
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    High-efficiency thermoelectric devices with Si nanostructures and their measurement techniques
    • 批准号：
      21360336
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Control of single-electron-tunneling characteristics in Si multidot structure for applying to nanodot automaton
    • 批准号：
      15360163
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.98万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      IKEDA Hiroya
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    海外基金