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Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms

Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
批准号：
24656101
负责人：
ARIMA KENTA
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656101/
关键词：
グラフェンシリコンカーバイドプラズマ処理ウェットエッチング超平坦表面昇華法プラズマ酸化エピタキシャル成長平坦化表面

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Formation of Graphene with Reduced Pits on SiC(0001) Assisted by Plasma Oxidation and Wet Etching
等离子体氧化和湿法刻蚀辅助 SiC(0001) 上凹坑减少的石墨烯形成
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Daichi Mori, Naoki Saito, Akito Imafuku, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Mizuho Morita and Kenta Arima]
通讯作者： Mizuho Morita and Kenta Arima
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金属颗粒在溶解氧介导的水中 Ge(100) 表面各向异性刻蚀中的催化行为
DOI： 10.1063/1.4730768
发表时间： 2012
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [Junichi Uchikoshi, Yoshinori Hayashi, Noritaka Ajari, Kentaro Kawai, Kenta Arima and Mizuho Morita, Yasuhisa Sano et al., Atsushi Mura et al., Tatsuya Kawase et al.]
通讯作者： Tatsuya Kawase et al.
Comparison of Wetting Properties between GeO2/Ge and SiO2/Si Revealed by in-situ XPS
原位 XPS 显示 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 润湿性能比较
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Naoki Saito, Kenta Arima et al., Kenta Arima]
通讯作者： Kenta Arima
Analysis of Enhanced Oxygen Reduction Reaction on Ge(100) Surface in Water Toward Metal-free Machining Process
水中 Ge(100) 表面强化氧还原反应无金属加工分析
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Naoki Saito, Kenta Arima et al., Kenta Arima, Kenta Arima, K. Arima, Kenta Arima, K. Arima, Kenta Arima, Naoki Saito, K. Arima, Atsushi Mura]
通讯作者： Atsushi Mura
共 26 条
    Creation of semiconductor surface for the next generation by catalytic tool free from metallic element
    • 批准号：
      26630026
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      ARIMA KENTA
    • 依托单位：
      Osaka University
    Atomic-scale flattening of Ge surfaces free from metallic contamination by a flat catalyst to enhance oxygen reduction reactions in water
    • 批准号：
      24686020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $16.81万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      ARIMA KENTA
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金