Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms

表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长

• 批准号: 24656101
• 负责人: ARIMA KENTA
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656101/
• 关键词: グラフェン; シリコンカーバイド; プラズマ処理; ウェットエッチング; 超平坦表面; 昇華法; プラズマ酸化; エピタキシャル成長; 平坦化; 表面

项目成果

Formation of Graphene with Reduced Pits on SiC(0001) Assisted by Plasma Oxidation and Wet Etching

等离子体氧化和湿法刻蚀辅助 SiC(0001) 上凹坑减少的石墨烯形成

• 发表时间: 2014
• 作者: Daichi Mori;Naoki Saito;Akito Imafuku;Kentaro Kawai;Yasuhisa Sano;Mizuho Morita and Kenta Arima
• 通讯作者: Mizuho Morita and Kenta Arima

Catalytic Behavior of Metallic Particles in Anisotropic Etching of Ge(100) Surfaces in Water Mediated by Dissolved Oxygen

金属颗粒在溶解氧介导的水中 Ge(100) 表面各向异性刻蚀中的催化行为

• DOI: 10.1063/1.4730768
• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Junichi Uchikoshi;Yoshinori Hayashi;Noritaka Ajari;Kentaro Kawai;Kenta Arima and Mizuho Morita;Yasuhisa Sano et al.;Atsushi Mura et al.;Tatsuya Kawase et al.
• 通讯作者: Tatsuya Kawase et al.

Comparison of Wetting Properties between GeO2/Ge and SiO2/Si Revealed by in-situ XPS

原位 XPS 显示 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 润湿性能比较

• 发表时间: 2014
• 作者: Naoki Saito;Kenta Arima et al.;Kenta Arima
• 通讯作者: Kenta Arima

Analysis of Enhanced Oxygen Reduction Reaction on Ge(100) Surface in Water Toward Metal-free Machining Process

水中 Ge(100) 表面强化氧还原反应无金属加工分析

• 发表时间: 2012
• 作者: Naoki Saito;Kenta Arima et al.;Kenta Arima;Kenta Arima;K. Arima;Kenta Arima;K. Arima;Kenta Arima;Naoki Saito;K. Arima;Atsushi Mura
• 通讯作者: Atsushi Mura

Enhancement of photoluminescence efficiency from GaN(0001) by surface treatments

• DOI: 10.7567/jjap.53.021001
• 发表时间: 2014-01
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: A. Hattori;K. Hattori;Y. Moriwaki;A. Yamamoto;Shun Sadakuni;J. Murata;Kenta Arima;Y. Sano;K. Yamauchi;H. Daimon;K. Endo