Atomic-scale flattening of Ge surfaces free from metallic contamination by a flat catalyst to enhance oxygen reduction reactions in water

通过扁平催化剂对没有金属污染的Ge表面进行原子级扁平化,以增强水中的氧还原反应

基本信息

  • 批准号:
    24686020
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 16.81万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Origin of Anomalous Positive Charging of Water-adsorbed Thin GeO2 Films Studied by Ambient-pressure XPS
常压 XPS 研究吸水 GeO2 薄膜异常正电荷的起源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Arima;D. Mori;Y. Saito;H. Oka;K. Kawai;T. Hosoi;M. Morita;H. Watanabe and Z. Liu
  • 通讯作者:
    H. Watanabe and Z. Liu
Formation of Graphene with Reduced Pits on SiC(0001) Assisted by Plasma Oxidation and Wet Etching
等离子体氧化和湿法刻蚀辅助 SiC(0001) 上凹坑减少的石墨烯形成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Daichi Mori;Naoki Saito;Akito Imafuku;Kentaro Kawai;Yasuhisa Sano;Mizuho Morita and Kenta Arima
  • 通讯作者:
    Mizuho Morita and Kenta Arima
Catalytic Behavior of Metallic Particles in Anisotropic Etching of Ge(100) Surfaces in Water Mediated by Dissolved Oxygen
金属颗粒在溶解氧介导的水中 Ge(100) 表面各向异性刻蚀中的催化行为
  • DOI:
    10.1063/1.4730768
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Junichi Uchikoshi;Yoshinori Hayashi;Noritaka Ajari;Kentaro Kawai;Kenta Arima and Mizuho Morita;Yasuhisa Sano et al.;Atsushi Mura et al.;Tatsuya Kawase et al.
  • 通讯作者:
    Tatsuya Kawase et al.
Comparison of Wetting Properties between GeO2/Ge and SiO2/Si Revealed by in-situ XPS
原位 XPS 显示 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 润湿性能比较
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naoki Saito;Kenta Arima et al.;Kenta Arima
  • 通讯作者:
    Kenta Arima
Analysis of Enhanced Oxygen Reduction Reaction on Ge(100) Surface in Water Toward Metal-free Machining Process
水中 Ge(100) 表面强化氧还原反应无金属加工分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naoki Saito;Kenta Arima et al.;Kenta Arima;Kenta Arima;K. Arima;Kenta Arima;K. Arima;Kenta Arima;Naoki Saito;K. Arima;Atsushi Mura
  • 通讯作者:
    Atsushi Mura
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

ARIMA KENTA其他文献

ARIMA KENTA的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('ARIMA KENTA', 18)}}的其他基金

Creation of semiconductor surface for the next generation by catalytic tool free from metallic element
通过不含金属元素的催化工具创建下一代半导体表面
  • 批准号:
    26630026
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
  • 批准号:
    24656101
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

革新的半導体プロセス:大気圧非平衡プラズマを用いた酸化亜鉛発光素子の開発
创新半导体工艺:利用大气压非平衡等离子体开发氧化锌发光器件
  • 批准号:
    14J11730
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
熱プラズマジェットの半導体プロセスへの導入とデバイス応用
热等离子体射流引入半导体工艺和器件应用
  • 批准号:
    06J08363
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体プロセスにおける中性高次分子計測用電子付着質量分析法の開発
开发用于测量半导体工艺中中性高阶分子的电子附着质谱法
  • 批准号:
    14780384
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
次世代半導体プロセス用ECRプラズマの大口径化に関する実験的研究
下一代半导体加工增加ECR等离子体直径的实验研究
  • 批准号:
    01J09835
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シリコン半導体プロセスにおける超熱原子状酸素ビームの適用とその反応過程の解明
超热原子氧束在硅半导体工艺中的应用及其反应过程的阐明
  • 批准号:
    00J01297
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
反射赤外光弾性法を用いた半導体プロセス誘起歪みの測定
使用反射红外光弹性法测量半导体工艺引起的应变
  • 批准号:
    09875081
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
量子半導体プロセス技術
量子半导体工艺技术
  • 批准号:
    06238106
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 16.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了