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Development of a Device Simulator Based on an Atomistic Large Scale Calculation
基于原子大规模计算的器件模拟器的研制
基本信息
- 批准号：24656235
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（31）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
蒙特卡罗法提取Si双栅结构MOSFET的准弹道输运系数
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：本城和彦;石川亮;高山洋一郎;土屋英昭，石田良馬，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人
- 通讯作者：土屋英昭，石田良馬，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人
Quantu mDynamical Simulation of Photo-Induced Graphene Switch
光致石墨烯开关的量子动力学模拟
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Akiyama;M. Ueyama;E. Nishimura;M. Ogawa;and S. Souma
- 通讯作者：and S. Souma
モンテカルロシミュレーションによるSiマルチゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送特性解析
利用蒙特卡罗模拟分析硅多栅结构MOSFET的准弹道输运特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石田 良馬;木場 隼介;土屋 英昭;鎌倉 良成;森 伸也;宇野 重康;小川 真人
- 通讯作者：小川 真人
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{{ truncateString('OGAWA Matsuto', 18)}}的其他基金
Design of New Structure and New Material Devices by a Quantum Transport Simulator in Ultimately Scaled VLSIs
利用量子传输模拟器在最终规模化的 VLSI 中设计新结构和新材料器件
- 批准号：
21360171 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation
基于量子力学模拟的下一代分子晶体管优化设计研究
- 批准号：
17360163 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on Web Hub System of Nano-Eledronic Device Modeling
纳米电子器件建模Web Hub系统研究
- 批准号：
13650378 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Basic Research of a Spin Transistor Based on the Quantum Transport in an Inhomogeneous Magnetic Field
基于非均匀磁场量子输运的自旋晶体管基础研究
- 批准号：
07650397 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)