Development of a Device Simulator Based on an Atomistic Large Scale Calculation
Development of a Device Simulator Based on an Atomistic Large Scale Calculation
批准号:
24656235
负责人:
OGAWA Matsuto
金额:
$2.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31
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研究紹介
简介 研究
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
蒙特卡罗法提取Si双栅结构MOSFET的准弹道输运系数
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[本城和彦, 石川亮, 高山洋一郎, 土屋英昭,石田良馬,鎌倉良成,森伸也,宇野重康,小川真人]
通讯作者:
土屋英昭,石田良馬,鎌倉良成,森伸也,宇野重康,小川真人
Quantu mDynamical Simulation of Photo-Induced Graphene Switch
光致石墨烯开关的量子动力学模拟
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Akiyama, M. Ueyama, E. Nishimura, M. Ogawa, and S. Souma]
通讯作者:
and S. Souma
Multiband Simulation of Quantum Transport
量子传输的多频带模拟
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
モンテカルロシミュレーションによるSiマルチゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送特性解析
利用蒙特卡罗模拟分析硅多栅结构MOSFET的准弹道输运特性
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石田 良馬, 木場 隼介, 土屋 英昭, 鎌倉 良成, 森 伸也, 宇野 重康, 小川 真人]
通讯作者:
小川 真人
共 27 条
Design of New Structure and New Material Devices by a Quantum Transport Simulator in Ultimately Scaled VLSIs
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批准号:21360171
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.15万
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财政年份:2009
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负责人:OGAWA Matsuto
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依托单位:
Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation
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批准号:17360163
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$2.8万
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财政年份:2005
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负责人:OGAWA Matsuto
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依托单位:
Study on Web Hub System of Nano-Eledronic Device Modeling
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批准号:13650378
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2001
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负责人:OGAWA Matsuto
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依托单位:
Basic Research of a Spin Transistor Based on the Quantum Transport in an Inhomogeneous Magnetic Field
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批准号:07650397
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:OGAWA Matsuto
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依托单位: