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Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation

Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation
基于量子力学模拟的下一代分子晶体管优化设计研究
批准号：
17360163
负责人：
OGAWA Matsuto
金额：
$2.8万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2005
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2005 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17360163/
关键词：
分子デバイスデバイス物理素子設計非平衡グリーン関数法第一原理バンド構造計算ナノバイオ先端機能デバイス第一原理計算非平衡グリーン関数ナノ材料電子デバイス・機器マイクロナノデバイスポリチオフェン(PDT)機能性ナノ分子の設計第一原理分子動力学法

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スケーリングリミットに近づいたシリコン系デバイスの次世代の代替候補として分子エレクトロニクス材料に焦点を当て,ナノ材料設計及びデバイス設計に関して第一原理電子状態解析とNEGF法に基づき主としてGNR(グラーフェンナノリボン=Carbon系)およびPDT(ポリドデシルチオフェン)系の分子構造に伴う電子状態解析結果とデバイス構造設計によるデバイス特性解析結果,及び解析手法を開発し,PDT系材料のスイッチとしての分子デバイスへの応用が可能となることを明らかにした.シリコン系材料の置換の可能性が開け,次世代ナノ材料・デバイス設計も可能となり,産業技術への展開が可能となると考えられる.
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会议论文
Full-band simulation of nano-scale MOSFETs based on a non-equili-rium Green's function method
基于非平衡格林函数法的纳米级MOSFET全带模拟
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： IEICE Transactions on Electronics E91-C
影响因子： --
作者： [H. Fitriawan, M. Ogawa]
通讯作者： M. Ogawa
Quantum electron transport modeling in double-gated MOSFETs based on multiband non-equilibrium Green's function method
基于多带非平衡格林函数法的双栅MOSFET量子电子输运建模
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Physica E Vol. 42
影响因子： --
作者： [H. Fitriawan, M. Ogawa, S. Souma, and T Misyoshi]
通讯作者： and T Misyoshi
Analysis of direct tunneling current from quasi-bound states in n-MOSFET based on non-equilibrium Green' s function
基于非平衡格林函数的n-MOSFET准束缚态直接隧道电流分析
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Proceedings of 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子： --
作者： [Satoru Muraoka, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa]
通讯作者： Matsuto Ogawa
Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure
用于模拟具有各向异性多带结构的纳米级器件中量子电子输运的非平衡格林函数方法
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： J. Mat. Sci. : Materials in Electronics
影响因子： --
作者： [H. Fitriawan, M. Ogawa S. Souma, T. Miyoshi]
通讯作者： T. Miyoshi
共 8 条
    Development of a Device Simulator Based on an Atomistic Large Scale Calculation
    • 批准号：
      24656235
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      OGAWA Matsuto
    • 依托单位：
      Kobe University
    Design of New Structure and New Material Devices by a Quantum Transport Simulator in Ultimately Scaled VLSIs
    • 批准号：
      21360171
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      OGAWA Matsuto
    • 依托单位：
      Kobe University
    Study on Web Hub System of Nano-Eledronic Device Modeling
    • 批准号：
      13650378
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.05万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      OGAWA Matsuto
    • 依托单位：
      Kobe University
    Basic Research of a Spin Transistor Based on the Quantum Transport in an Inhomogeneous Magnetic Field
    • 批准号：
      07650397
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      OGAWA Matsuto
    • 依托单位：
      Kobe University
    海外基金