Study on the Optimal Design of Molecular Transistors in Next Generation Based on a Quantum Mechanical Simulation

基于量子力学模拟的下一代分子晶体管优化设计研究

• 批准号: 17360163
• 负责人: OGAWA Matsuto
• 金额: $ 2.8万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17360163/
• 关键词: 分子デバイス; デバイス物理; 素子設計; 非平衡グリーン関数法; 第一原理バンド構造計算; ナノバイオ; 先端機能デバイス; 第一原理計算; 非平衡グリーン関数; ナノ材料; 電子デバイス・機器; マイクロナノデバイス; ポリチオフェン(PDT); 機能性ナノ分子の設計; 第一原理分子動力学法

スケーリングリミットに近づいたシリコン系デバイスの次世代の代替候補として分子エレクトロニクス材料に焦点を当て,ナノ材料設計及びデバイス設計に関して第一原理電子状態解析とNEGF法に基づき主としてGNR(グラーフェンナノリボン=Carbon系)およびPDT(ポリドデシルチオフェン)系の分子構造に伴う電子状態解析結果とデバイス構造設計によるデバイス特性解析結果,及び解析手法を開発し,PDT系材料のスイッチとしての分子デバイスへの応用が可能となることを明らかにした.シリコン系材料の置換の可能性が開け,次世代ナノ材料・デバイス設計も可能となり,産業技術への展開が可能となると考えられる.

The next generation of replacement candidates for molecular materials is the focus of the next generation. First Principle Electronic State Analysis and NEGF Method for Material Design and Design The molecular structure of PDT system was analyzed by electron state analysis, structural design and molecular property analysis. The molecular structure of PDT system was analyzed by electron state analysis and PDT method. The possibility of replacement of materials in the next generation is open, the possibility of design of materials in the next generation is open, and the possibility of development of industrial technology is open.

项目成果

Full-band simulation of nano-scale MOSFETs based on a non-equili-rium Green's function method

基于非平衡格林函数法的纳米级MOSFET全带模拟

• 发表时间: 2008
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics E91-C
• 作者: H. Fitriawan;M. Ogawa
• 通讯作者: M. Ogawa

Quantum electron transport modeling in double-gated MOSFETs based on multiband non-equilibrium Green's function method

基于多带非平衡格林函数法的双栅MOSFET量子电子输运建模

• 发表时间: 2007
• 期刊: Physica E Vol. 42
• 作者: H. Fitriawan;M. Ogawa;S. Souma;and T Misyoshi
• 通讯作者: and T Misyoshi

Analysis of direct tunneling current from quasi-bound states in n-MOSFET based on non-equilibrium Green' s function

基于非平衡格林函数的n-MOSFET准束缚态直接隧道电流分析

• 发表时间: 2008
• 期刊: Proceedings of 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
• 作者: Satoru Muraoka;Satofumi Souma;Matsuto Ogawa
• 通讯作者: Matsuto Ogawa

Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure

用于模拟具有各向异性多带结构的纳米级器件中量子电子输运的非平衡格林函数方法

• 发表时间: 2008
• 期刊: J. Mat. Sci. : Materials in Electronics
• 作者: H. Fitriawan;M. Ogawa S. Souma;T. Miyoshi
• 通讯作者: T. Miyoshi

Non-Equilibrium Green's Function Method for Modelling Quantum Electron Transport in Nano-Scale Devices with Anisotropic Multiband Structure

用于模拟具有各向异性多带结构的纳米级器件中量子电子输运的非平衡格林函数方法

• 发表时间: 2006
• 期刊: Proc. 6^<th> International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering
• 作者: H.Fitriawan;M.Ogawa;T.Miyoshi
• 通讯作者: T.Miyoshi