Spin-flip scattering of Rashba-induced spin-split surface band electrons by magnetic atoms

磁性原子对 Rashba 诱导的自旋分裂表面带电子的自旋翻转散射

基本信息

  • 批准号:
    25600095
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Si(111)7×7基板上Ag超薄膜表面のリップル構造
Si(111)7×7基底超薄膜Ag薄膜表面波纹结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Yoshiike;H. Fukumoto;Y. Aoki;K. Nakatsuji and H. Hirayama,;吉池雄作,福元博之,青木悠樹,中辻寛,平山博之
  • 通讯作者:
    吉池雄作,福元博之,青木悠樹,中辻寛,平山博之
Ag超薄膜とSi(111)基板との界面における水素吸着
超薄Ag薄膜与Si(111)衬底界面的氢吸附
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Yoshiike;H. Fukumoto;Y. Aoki;K. Nakatsuji and H. Hirayama,;村越尚樹,イスラム トウヒドル,福田武司,鎌田憲彦,平山秀樹;中辻寛,青木悠樹,福元博之,平山博之
  • 通讯作者:
    中辻寛,青木悠樹,福元博之,平山博之
平山・中辻研究室
平山/中辻实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Si(111)√3x√3-B表面上のBi超薄膜の成長と構造(2)
Si(111)√3x√3-B表面超薄Bi薄膜的生长与结构 (2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Julkarnain;A. Z. M. Touhidul Islam;T. Fukuda;N. Kamata;and H. Hirayama;小久保郁也,吉池雄作,中辻寛,平山博之
  • 通讯作者:
    小久保郁也,吉池雄作,中辻寛,平山博之
Si(111)√3x√3-B表面へのBi超薄膜の成長と構造
Si(111)√3x√3-B表面超薄Bi薄膜的生长与结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小久保郁也;吉池雄作;青木悠樹;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者:
    平山博之
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  • 资助金额:
    $ 2.5万
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  • 资助金额:
    $ 2.5万
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