Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth
在多层外延生长过程中使用晶体取向的 CMOS 工艺创新
基本信息
- 批准号:25600091
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(40)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Suemitsu;S. N. Filimonov
- 通讯作者:S. N. Filimonov
Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals
块状和薄膜碳化硅晶体上外延石墨烯的最新进展
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Izumi;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura and K. Kawamura;Maki Suemitsu
- 通讯作者:Maki Suemitsu
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
控制 3C-SiC 中的平面缺陷:唤醒其发展的方法 将 3C-SiC 开发为实用半导体
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroyuki Nagasawa;Maki Suemitsu
- 通讯作者:Maki Suemitsu
Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems
石墨烯基电子
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Z. M. Touhidul Islam;N. Murakoshi;T. Fukuda;H. Hirayama and N. Kamata;M. Suemitsu;M. Suemitsu
- 通讯作者:M. Suemitsu
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Dynamics of surface electron trapping of a GaN-based transistors revealed by spatiotemporally resolved x-ray spectroscopy
时空分辨 X 射线光谱揭示 GaN 基晶体管表面电子俘获动力学
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f 电子磁体 EuPtSi 中的斯格明子晶格
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- DOI:
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- 发表时间:
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Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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11875002 - 财政年份:1999
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$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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09233205 - 财政年份:1997
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遵守比例规则的金属/铁电/绝缘体/半导体 (MFIS) -FET 存储器的研究
- 批准号:
09450147 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号:
08650373 - 财政年份:1996
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$ 2.5万 - 项目类别:
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07750834 - 财政年份:1995
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- 批准号:
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