Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth

在多层外延生长过程中使用晶体取向的 CMOS 工艺创新

基本信息

  • 批准号:
    25600091
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(40)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯
Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals
块状和薄膜碳化硅晶体上外延石墨烯的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Izumi;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura and K. Kawamura;Maki Suemitsu
  • 通讯作者:
    Maki Suemitsu
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
控制 3C-SiC 中的平面缺陷:唤醒其发展的方法 将 3C-SiC 开发为实用半导体
高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価
使用高质量外延石墨烯表征 GFET
Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems
石墨烯基电子
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Z. M. Touhidul Islam;N. Murakoshi;T. Fukuda;H. Hirayama and N. Kamata;M. Suemitsu;M. Suemitsu
  • 通讯作者:
    M. Suemitsu
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Dynamics of surface electron trapping of a GaN-based transistors revealed by spatiotemporally resolved x-ray spectroscopy
时空分辨 X 射线光谱揭示 GaN 基晶体管表面电子俘获动力学
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    10.1063/5.0020500
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu
  • 通讯作者:
    Fukidome Hirokazu
Skyrmion lattice in f-electron magnet EuPtSi
f 电子磁体 EuPtSi 中的斯格明子晶格
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    K. Kaneko
二次元材料成膜・形成および機能発現評価の課題
二维材料沉积/形成和功能表达评估的问题
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;吹留博一;吹留博一
  • 通讯作者:
    吹留博一
Utility of biomolecular motors for a minimal artificial brain
生物分子马达在最小人造大脑中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakazawa Hideki;Nakamura Kazuki;Osanai Hiroya;Sasaki Yuya;Koriyama Haruto;Kobayashi Yasuyuki;Enta Yoshiharu;Suzuki Yushi;Suemitsu Maki;加藤康佑,津金麻実子,篠原啓佑,沖田勉,鈴木宏明;Arif Md. Rashedul Kabir
  • 通讯作者:
    Arif Md. Rashedul Kabir
Sensing surface mechanical deformation of soft materials using biomolecular motors
使用生物分子马达感测软材料的表面机械变形
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Osanai Hiroya;Nakamura Kazuki;Sasaki Yuya;Koriyama Haruto;Kobayashi Yasuyuki;Enta Yoshiharu;Suzuki Yushi;Suemitsu Maki;Nakazawa Hideki;Arif Md. Rashedul Kabir
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    Arif Md. Rashedul Kabir

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硅衬底上外延石墨烯的创新改进加速了石墨烯电子器件的实现
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  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    2013
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    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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高效氧化铜光伏器件的电化学构建
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    22550180
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    13026213
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    2001
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Crystal Growth Theory with considerations of strain
考虑应变的晶体生长理论
  • 批准号:
    12640380
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ハイブリッドマイクロチャンネルエピタキシーを用いたSi上のGaAs無転位結晶
使用混合微通道外延技术在 Si 上制作无位错 GaAs 晶体
  • 批准号:
    11875002
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
MBE成長法によるSi(001)に近接した高指数表面でのGe-Si系量子ドット
通过MBE生长法在Si(001)附近的高折射率表面上制备Ge-Si量子点
  • 批准号:
    09233205
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Studies on Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor (MFIS) -FET Memories Obeying The Scaling Rule
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  • 批准号:
    09450147
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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使用铁磁Ba铁氧体薄膜制造铁磁半导体异质外延结构
  • 批准号:
    08650373
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ダイヤモンドの高配向化技術の確立と新規原料によるド-ピング技術の開発
高定向金刚石技术的确立及新原料掺杂技术的开发
  • 批准号:
    07750834
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
イオン結晶ヘテロエピタキシ-における基板表面欠陥と初期核発生
离子晶体异质外延中的衬底表面缺陷和初始成核
  • 批准号:
    07750040
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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知道了