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Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth

Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth
在多层外延生长过程中使用晶体取向的 CMOS 工艺创新
批准号：
25600091
负责人：
Suemitsu Maki
金额：
$2.5万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25600091/
关键词：
3C-SiCヘテロエピタキシ積層欠陥転位X線ロッキング曲線CMOS断面TEM観察RHEED面欠陥CVD双晶

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DOI： --
发表时间： 2014
期刊： Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book
影响因子： --
作者： [M. Suemitsu, S. N. Filimonov]
通讯作者： S. N. Filimonov
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Izumi, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asamura and K. Kawamura, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
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DOI： --
发表时间： 2014
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影响因子： --
作者： [Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
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DOI： --
发表时间： 2015
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影响因子： --
作者： [須藤亮太, 舘野泰範, 吹留博一, 末光眞希]
通讯作者： 末光眞希
共 31 条
    Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics
    • 批准号：
      25286053
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.15万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Suemitsu Maki
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金