课题基金 / 基金详情

Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics

Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics
硅衬底上外延石墨烯的创新改进加速了石墨烯电子器件的实现
批准号:
25286053
负责人:
Suemitsu Maki
金额:
$12.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

项目摘要

项目成果

Suemitsu Maki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates
Si(111) 基板上 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) 双层堆叠上的外延石墨烯形成
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu]
通讯作者: and M. Suemitsu
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価
稍微倾斜的 Si(111) 衬底上 3C-SiC(111) 薄膜的横截面 TEM 评估
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [原本 直樹, 長澤 弘幸, 伊藤 俊, 吹留 博一, 末光 眞希]
通讯作者: 末光 眞希
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯
DOI: --
发表时间: 2014
期刊: Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book
影响因子: --
作者: [M. Suemitsu, S. N. Filimonov]
通讯作者: S. N. Filimonov
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
控制 3C-SiC 中的平面缺陷:唤醒其发展的方法 将 3C-SiC 开发为实用半导体
DOI: --
发表时间: 2014
期刊: ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book
影响因子: --
作者: [Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu]
通讯作者: Maki Suemitsu
41
    Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth
    • 批准号:
      25600091
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2013
    • 负责人:
      Suemitsu Maki
    • 依托单位:
    海外基金