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Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics

硅衬底上外延石墨烯的创新改进加速了石墨烯电子器件的实现

基本信息

批准号：
25286053
负责人：
Suemitsu Maki
金额：
$ 12.15万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286053/
关键词：
3C-SiC ヘテロエピタキシグラフェン積層欠陥転位表面化学反応

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

Si(111) 基板上 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) 双层堆叠上的外延石墨烯形成

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Jiao;H. Fukidome;H. Nagasawa;S. Filimonov;M. Tateno;I. Makabe;T. Nakabayashi;and M. Suemitsu
通讯作者：
and M. Suemitsu

微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価

稍微倾斜的 Si(111) 衬底上 3C-SiC(111) 薄膜的横截面 TEM 评估

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
原本直樹;長澤弘幸;伊藤俊;吹留博一;末光眞希
通讯作者：
末光眞希

Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon

使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book
影响因子：
0
作者：
M. Suemitsu;S. N. Filimonov
通讯作者：
S. N. Filimonov

Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor

控制 3C-SiC 中的平面缺陷：唤醒其发展的方法将 3C-SiC 开发为实用半导体

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book
影响因子：
0
作者：
Hiroyuki Nagasawa;Maki Suemitsu
通讯作者：
Maki Suemitsu

グラフェンのディスプレイ応用の可能性

石墨烯的潜在显示应用

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masami SANO;Mitso Hara;Shusaku Nagano;Yuya Shinohara;Yoshiyuki Amemiya;Takahiro Seki;末光眞希
通讯作者：
末光眞希

DOI：
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作者：
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通讯作者：
Arif Md. Rashedul Kabir