Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics
Innovative betterment of epitaxial graphene on Si substrate that accelerates realization of graphene electronics
批准号:
25286053
负责人:
Suemitsu Maki
金额:
$12.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
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Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates
Si(111) 基板上 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) 双层堆叠上的外延石墨烯形成
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu]
通讯作者:
and M. Suemitsu
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価
稍微倾斜的 Si(111) 衬底上 3C-SiC(111) 薄膜的横截面 TEM 评估
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[原本 直樹, 長澤 弘幸, 伊藤 俊, 吹留 博一, 末光 眞希]
通讯作者:
末光 眞希
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon
使用 GSMBE 在 Si 上异质外延 3C-SiC 并在其上形成外延石墨烯
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book
影响因子:
--
作者:
[M. Suemitsu, S. N. Filimonov]
通讯作者:
S. N. Filimonov
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor
控制 3C-SiC 中的平面缺陷:唤醒其发展的方法 将 3C-SiC 开发为实用半导体
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book
影响因子:
--
作者:
[Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu]
通讯作者:
Maki Suemitsu
グラフェンのディスプレイ応用の可能性
石墨烯的潜在显示应用
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masami SANO, Mitso Hara, Shusaku Nagano, Yuya Shinohara, Yoshiyuki Amemiya, Takahiro Seki, 末光眞希]
通讯作者:
末光眞希
共 41 条
Innovation of CMOS process using crystallographic orientation during multiple-layer epi-growth
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批准号:25600091
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2013
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负责人:Suemitsu Maki
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依托单位:
海外基金