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Cesium Removal with Magnetic Nanoparticles Surface-functionalized by Plasma Discharge in Liquid with Bubble

Cesium Removal with Magnetic Nanoparticles Surface-functionalized by Plasma Discharge in Liquid with Bubble
通过气泡液体中等离子体放电表面功能化的磁性纳米粒子去除铯
批准号:
25600120
负责人:
NAGATSU Masaaki
金额:
$2.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31

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, “プラズマ表面修飾磁気ナノ微粒子を用いたセシウム吸着材の開発
,“使用等离子体表面改性磁性纳米粒子开发铯吸附剂
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [T. Akama, T. Kato, T. Kaneko, 岡嶋孝治, 岡田 直也,楊 樹斌,張 晗,永津 雅章]
通讯作者: 岡田 直也,楊 樹斌,張 晗,永津 雅章
永津研究室
长津研究所
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
プラズマによる表面処理技術の基礎と応用
等离子表面处理技术的基础和应用
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [O. Sakai, N. Kihara, Y. Nishio and Y. Hiraoka, 永津雅章]
通讯作者: 永津雅章
Effect of NH Radicals on Amino Group Surface Modification onto Graphene-Encapsulated Magnetic Nanoparticles Using RF Excited NH3 Plasma
NH 自由基对使用 RF 激发 NH3 等离子体的石墨烯封装的磁性纳米粒子的氨基表面修饰的影响
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Chou, E. Yang, M. Nagatsu]
通讯作者: M. Nagatsu
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    Development of innovative plasma process technologies to realize high-performance and multi-functional material surfaces and their applications
    • 批准号:
      17H02804
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.48万
    • 财政年份:
      2017
    • 负责人:
      NAGATSU Masaaki
    • 依托单位:
    Development of Plasma Processing Technology of Bio-Polymer Materials at Low-temperature
    • 批准号:
      20340161
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $12.31万
    • 财政年份:
      2008
    • 负责人:
      NAGATSU Masaaki
    • 依托单位:
    Development of Low-temperature Sterilization Technique Using Microwave Plasma and Its Medical Application
    • 批准号:
      16340180
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.79万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      NAGATSU Masaaki
    • 依托单位:
    Development of High-Pressure, High-Density Micorwave Plasma Source and Its Application to Large-area Thin Film Processing
    • 批准号:
      14580516
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      NAGATSU Masaaki
    • 依托单位:
    海外基金