Introduction of flux pinning centers into YBa2Cu3Oy superconducting films by inkjet printing technique

通过喷墨印刷技术将助焊剂钉扎中心引入YBa2Cu3Oy超导薄膜中

基本信息

  • 批准号：
    26600075
  • 负责人：
    Teranishi Ryo
  • 金额：
    $ 2.5万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Minimization of nanoparticle size of flux pinning centers in YBa2Cu3Oy films by TFA-MOD process
通过 TFA-MOD 工艺最小化 YBa2Cu3Oy 薄膜中助焊剂钉扎中心的纳米颗粒尺寸
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R.Teranishi;K.Otaguro;T.Nishiyama;K.Yamada;K.Kaneko;M.Yoshizumi;T.Izumi
  • 通讯作者：
    T.Izumi
Minimization of BaMO3 (M = Zr, Hf) flux pinning centers in YBa2Cu3Oy films by metal organic deposition process
通过金属有机沉积工艺最小化 YBa2Cu3Oy 薄膜中的 BaMO3 (M = Zr, Hf) 通量钉扎中心
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R. Teranishi;H. Horita;K. Ootaguro;K. Yamada;K. Kaneko;T. Izumi
  • 通讯作者：
    T. Izumi
インクジェットプリンターを利用したYBa2Cu3O7-x薄膜への磁束ピン止め点の配列導入
使用喷墨打印机将磁通量钉扎点阵列引入 YBa2Cu3O7-x 薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    片木世維;平松和弥;寺西亮;山田和広;金子賢治
  • 通讯作者：
    金子賢治
Size minimization of BaHfO3 flux pinning centers in YBa2Cu3Oy superconducting films by chemical solution deposition process
通过化学溶液沉积工艺最小化 YBa2Cu3Oy 超导薄膜中 BaHfO3 通量钉扎中心的尺寸
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R. Teranishi;H. Horita;K. Ootaguro;K. Yamada;K. Kaneko;M. Yoshizumi;T. Izumi
  • 通讯作者：
    T. Izumi
Minimization of BaHfO3 Flux Pinning Centers in YBa2Cu3Oy Films by Metal Organic Deposition Process
通过金属有机沉积工艺最小化 YBa2Cu3Oy 薄膜中的 BaHfO3 通量钉扎中心
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Ryo Teranishi;Kenya Otaguro;Hiroshi Horita;Kazuhiro Yamada;Kenji Kaneko;Teruo Izumi;and Satoshi Awaji
  • 通讯作者：
    and Satoshi Awaji
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  • 通讯作者：
    Kaneko Kenji

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  • 资助金额：
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    2018
  • 资助金额：
    $ 2.5万
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