Research on Nanoscale Metallic-Cavity Semiconductor Lasers

纳米级金属腔半导体激光器研究

基本信息

  • 批准号:
    26600112
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
電流注入型金属キャビティレーザの数値解析
电流注入金属腔激光器的数值分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    虞伝慶;張柏富;千枝航;種村拓夫;中野義昭
  • 通讯作者:
    中野義昭
Capsule-shaped metallic-cavity laser with reduced plasmonic loss
具有减少等离子体损失的胶囊形金属腔激光器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Baifu Zhang;Takuya Okimoto;Takuo Tanemura;and Yoshiaki Nakano
  • 通讯作者:
    and Yoshiaki Nakano
Fabrication and photoluminescence characterization of capsule-shaped metallic InP/InGaAs cavity structures
胶囊状金属InP/InGaAs腔结构的制备和光致发光表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    B. Zhang;T. Okimoto;T. Tanemura;and Y. Nakano
  • 通讯作者:
    and Y. Nakano
Proposal and numerical study on capsule-shaped nanometallic semiconductor lasers
  • DOI:
    10.7567/jjap.53.112703
  • 发表时间:
    2014-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Baifu Zhang;T. Okimoto;Takuo Tanemura;Y. Nakano
  • 通讯作者:
    Baifu Zhang;T. Okimoto;Takuo Tanemura;Y. Nakano
InP光導波路に結合した金属クラッド共振器器型光変調器の設計
InP光波导耦合金属包层谐振器型光调制器的设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    千枝航;張柏富;沖本拓也;種村拓夫;中野 義昭
  • 通讯作者:
    中野 義昭
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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Fabrication-Tolerant Half-Ridge InP/InGaAsP Polarization Rotator With Etching-Stop Layer
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
    Elfiqi Abdulaziz E.;Kobayashi Ryoma;Tanomura Ryota;Tanemura Takuo;Nakano Yoshiaki
  • 通讯作者:
    Nakano Yoshiaki
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具有多量子阱光电探测器的单片 InP 斯托克斯矢量接收器
  • DOI:
    10.1109/jlt.2017.2780905
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.7
  • 作者:
    Suganuma Takahiro;Ghosh Samir;Kazi Mohiyuddin;Kobayashi Ryoma;Nakano Yoshiaki;Tanemura Takuo
  • 通讯作者:
    Tanemura Takuo
H2 and 02 Activation by a Hydrogenase Model
氢化酶模型激活 H2 和 02
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ghosh Samir;Kawabata Yuto;Tanemura Takuo;Nakano Yoshiaki;松本 崇弘
  • 通讯作者:
    松本 崇弘
フォノン共鳴波長近傍におけるパッシブ近接場計測
声子共振波长附近的无源近场测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanomura Ryota;Tang Rui;Umezaki Toshikazu;Soma Go;Tanemura Takuo;Nakano Yoshiaki;佐久間 涼子,林 冠廷,梶原 優介
  • 通讯作者:
    佐久間 涼子,林 冠廷,梶原 優介
Robust InP/InGaAsP Polarization Rotator Based on Mode Evolution
基于模式演化的鲁棒 InP/InGaAsP 偏振旋转器
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
    Elfiqi Abdulaziz E.;Tanomura Ryota;Yu Dawei;Yanwachirakul Warakorn;Shao Haifeng;Suzuki Yuto;Tanemura Takuo;Nakano Yoshiaki
  • 通讯作者:
    Nakano Yoshiaki

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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  • 资助金额:
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有机半导体激光器的特性评价及进展
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了