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Mid-infrared exciton control based on low-dimensional image charge effects in narrow-gap semiconductors
窄带隙半导体中基于低维镜像电荷效应的中红外激子控制
基本信息
- 批准号：15K13348
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-frequency noise exponents in InAs thin films on flexible or GaAs(001) substrates
柔性或 GaAs(001) 基板上的 InAs 薄膜的低频噪声指数
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. P. Le;T. Ui;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis
InAs/高 k/低 k 结构：电子传输和界面分析
- DOI：10.1063/1.4983176
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：T. Ui;R. Mori;S. P. Le;Y. Oshima;and T. Suzuki.
- 通讯作者：and T. Suzuki.
Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
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- DOI：10.1063/1.4952386
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：S. P. Le;T. Ui;T. Q. Nguyen;H.-A. Shih;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
Drain-induced barrier lowering in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs with single- or double-recess overlapped gate
具有单凹槽或双凹槽重叠栅极的常关 AlGaN-GaN MOSFET 中的漏极感应势垒降低
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sato;K. Uryu;J. Okayasu;M. Kimishima;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
Low-frequency noise in InAs films bonded on low-k flexible substrates
低 k 柔性基板上粘合的 InAs 薄膜中的低频噪声
- DOI：10.1063/1.4935458
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：S. P. Le;T. Ui;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
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