Mid-infrared exciton control based on low-dimensional image charge effects in narrow-gap semiconductors
Mid-infrared exciton control based on low-dimensional image charge effects in narrow-gap semiconductors
窄带隙半导体中基于低维镜像电荷效应的中红外激子控制
批准号：
15K13348
负责人：
Suzuki Toshi-kazu
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Low-frequency noise exponents in InAs thin films on flexible or GaAs(001) substrates
柔性或 GaAs(001) 基板上的 InAs 薄膜的低频噪声指数
柔性或 GaAs(001) 基板上的 InAs 薄膜的低频噪声指数
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. P. Le, T. Ui, and T. Suzuki]
通讯作者：
and T. Suzuki
An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis
InAs/高 k/低 k 结构：电子传输和界面分析
InAs/高 k/低 k 结构：电子传输和界面分析
DOI：
10.1063/1.4983176
发表时间：
2017
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[T. Ui, R. Mori, S. P. Le, Y. Oshima, and T. Suzuki.]
通讯作者：
and T. Suzuki.
Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
AlTiO/AlGaN/GaN 金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管中的低频噪声
AlTiO/AlGaN/GaN 金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管中的低频噪声
DOI：
10.1063/1.4952386
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[S. P. Le, T. Ui, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, and T. Suzuki]
通讯作者：
and T. Suzuki
Drain-induced barrier lowering in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs with single- or double-recess overlapped gate
具有单凹槽或双凹槽重叠栅极的常关 AlGaN-GaN MOSFET 中的漏极感应势垒降低
具有单凹槽或双凹槽重叠栅极的常关 AlGaN-GaN MOSFET 中的漏极感应势垒降低
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sato, K. Uryu, J. Okayasu, M. Kimishima, and T. Suzuki]
通讯作者：
and T. Suzuki
Low-frequency noise in InAs films bonded on low-k flexible substrates
低 k 柔性基板上粘合的 InAs 薄膜中的低频噪声
低 k 柔性基板上粘合的 InAs 薄膜中的低频噪声
DOI：
10.1063/1.4935458
发表时间：
2015
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[S. P. Le, T. Ui, and T. Suzuki]
通讯作者：
and T. Suzuki
共 10 条
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