Semiconductor imaging plate

半导体成像板

基本信息

  • 批准号:
    15K13379
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaInAsP半導体イメージングプレートによる様々な細胞イメージング
使用GaInAsP半导体成像板的各种细胞成像
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    酒本真衣;景山達斗;福田淳二;馬場俊彦
  • 通讯作者:
    馬場俊彦
Label-free living-cell imaging using photoluminescence from GaInAsP semiconductor plate
利用 GaInAsP 半导体板的光致发光进行无标记活细胞成像
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Sakemoto;Y. Kishi;K. Watanabe;S. Ota;Y. Takemura;T. Baba
  • 通讯作者:
    T. Baba
GaInAsP半導体デバイスを用いたバイオセンシング/イメージング
使用 GaInAsP 半导体器件的生物传感/成像
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    馬場俊彦;羽中田祥司;渡部工;高橋大智;古田裕樹;渡邊敬介;阿部紘士;岸洋次;酒本真衣;北翔太
  • 通讯作者:
    北翔太
GaInAsP半導体ナノレーザのバイオセンシング応用
GaInAsP半导体纳米激光器的生物传感应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    馬場俊彦;羽中田庄司;渡邊敬介;渡部工;阿部紘士;高橋大地;岸洋次;酒本真衣
  • 通讯作者:
    酒本真衣
GaInAsP半導体イメージングプレートによる細胞イメージング- ラベルによる蛍光像との対応と細胞外マトリックスに対する反応
使用 GaInAsP 半导体成像板进行细胞成像 - 通过标记和与细胞外基质的反应与荧光图像对应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    酒本真衣;景山達斗;福田淳二,馬場俊彦
  • 通讯作者:
    福田淳二,馬場俊彦
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Baba Toshihiko其他文献

海底熱水鉱床探査へのCSEM法の有効性
CSEM 方法勘探海底热液矿床的有效性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kondo Keisuke;Baba Toshihiko;石須 慶一,後藤 忠徳,Weerachai Siripunvaraporn
  • 通讯作者:
    石須 慶一,後藤 忠徳,Weerachai Siripunvaraporn
On-chip autocorrelator using counter-propagating slow light in a photonic crystal with two-photon absorption photodiodes
在具有双光子吸收光电二极管的光子晶体中使用反向传播慢光的片上自相关器
  • DOI:
    10.1364/optica.4.001109
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.4
  • 作者:
    Kondo Keisuke;Baba Toshihiko
  • 通讯作者:
    Baba Toshihiko
Thermally controlled Si photonic crystal slow light waveguide beam steering device
热控硅光子晶体慢光波导光束转向装置
  • DOI:
    10.1364/oe.26.011529
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Takeuchi Goro;Terada Yosuke;Takeuchi Moe;Abe Hiroshi;Ito Hiroyuki;Baba Toshihiko
  • 通讯作者:
    Baba Toshihiko
High-performance on-chip autocorrelator using a rib waveguide loaded with two-photon absorption diodes
使用装载有双光子吸收二极管的肋形波导的高性能片上自相关器
  • DOI:
    10.1364/ol.43.000719
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.6
  • 作者:
    Kondo Keisuke;Baba Toshihiko
  • 通讯作者:
    Baba Toshihiko
pH-sensitive GaInAsP photonic crystal fractal band-edge laser
pH 敏感 GaInAsP 光子晶体分形带边激光器
  • DOI:
    10.1364/ol.410122
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.6
  • 作者:
    Watanabe Keisuke;Sakata Akihiro;Baba Toshihiko
  • 通讯作者:
    Baba Toshihiko

Baba Toshihiko的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

Optimization of GaInAsP/InP Heterostructures for Ultrafast THz Photomixers
超快 THz 光电混频器 GaInAsP/InP 异质结构的优化
  • 批准号:
    52302630
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Research Grants
微小埋め込み構造GaInAsP系面発光レーザの室温低しきい値動作に関する研究
微埋结构GaInAsP面发射激光器室温低阈值工作研究
  • 批准号:
    04750379
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
RESEARCH OF STACKED TWIN-ACTIVE LAYER GaInAsP/InP DYNAMIC SINGLE MODE LASERS
叠式双活性层GaInAsP/InP动态单模激光器的研究
  • 批准号:
    63550295
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎
长波长 GaInAsP/InP 动态单模激光器光谱纯化基础
  • 批准号:
    61750265
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
GaInAsP/InP四元混晶のエピタクシーと光デバイスの研究
GaInAsP/InP四元混晶的外延及光学器件研究
  • 批准号:
    60222020
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
注入電流制御用電極を有する波長1.6μm分布帰還型GaInAsP/InP半導体レ
1.6μm波长分布反馈型GaInAsP/InP半导体层,带有注入电流控制电极。
  • 批准号:
    57750324
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
波長1.6μm帯分布帰還型GaInAsP/InP半導体レーザ
1.6μm波长分布反馈GaInAsP/InP半导体激光器
  • 批准号:
    56750261
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
GaInAsP混晶半導体を用いた可視光半導体レーザの開発研究
采用GaInAsP混晶半导体的可见光半导体激光器的研发
  • 批准号:
    X00210----575191
  • 财政年份:
    1980
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
The Properties of Zinc-Doped Gainasp
掺锌 Gainasp 的特性
  • 批准号:
    7911333
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了