Instantaneous separation of carriers using heterovalent interfaces of wide-band-gap semiconductors

利用宽带隙半导体异价界面瞬时分离载流子

基本信息

  • 批准号:
    15K13939
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性
非晶衬底上制造的InGaN薄膜晶体管的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Atsushi Kobayashi;Khe Shin Lye;Kohei Ueno;Jitsuo Ohta;and Hiroshi Fujioka;小林篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋;小林 篤,伊藤剛輝,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
  • 通讯作者:
    小林 篤,伊藤剛輝,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
YSZ基板上に成長した高In組成InGaNの諸特性
YSZ 衬底上生长的高 In 成分 InGaN 的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Itoh;A. Kobayashi;K. Ueno;J. Ohta;and H. Fujioka;伊藤剛輝,小林 篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋;小林篤,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
  • 通讯作者:
    小林篤,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
窒化物半導体のガラス基板上への成長と薄膜トランジスタ応用
玻璃基板上氮化物半导体的生长和薄膜晶体管应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Atsushi Kobayashi;Khe Shin Lye;Kohei Ueno;Jitsuo Ohta;and Hiroshi Fujioka;小林篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋;小林 篤,伊藤剛輝,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋;小林篤,伊藤剛輝,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
  • 通讯作者:
    小林篤,伊藤剛輝,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
高移動度窒化物半導体の薄膜トランジスタ応用
高迁移率氮化物半导体薄膜晶体管应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Atsushi Kobayashi;Khe Shin Lye;Kohei Ueno;Jitsuo Ohta;and Hiroshi Fujioka;小林篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
  • 通讯作者:
    小林篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
InGaN thin-film transistors on amorphous glass substrates
非晶玻璃基板上的 InGaN 薄膜晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Itoh;A. Kobayashi;K. Ueno;J. Ohta;and H. Fujioka
  • 通讯作者:
    and H. Fujioka
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Kobayashi Atsushi其他文献

プルシアンホワイトにおけるアルカリ土類金属イオンの伝導経路
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    武藤 匠海,中尾 嘉秀,石崎 学,栗原 正人,安東 秀峰
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshimura Nobutaka;Kobayashi Atsushi;Genno Wataru;Okubo Takashi;Yoshida Masaki;Kato Masako;安東 秀峰,中尾 嘉秀
  • 通讯作者:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Kato Masako
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Morita Atsuya;Aoshima Keisuke;Gulay Kevin Christian Montecillo;Onishi Shinichi;Shibata Yuki;Yasui Hironobu;Kobayashi Atsushi;Kimura Takashi;小野木章雄;小川伸一郎
  • 通讯作者:
    小川伸一郎
Halide Replacement Effect on Proton Conductivity and Vapochromic Luminescence of Pt(II) Complexes
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  • DOI:
    10.1246/bcsj.20210279
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kobayashi Atsushi;Imada Shin-ichiro;Yao Yuze;Nagao Yuki;Kubota Yuto;Yoshida Masaki;Kato Masako
  • 通讯作者:
    Kato Masako

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    $ 2.33万
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  • 资助金额:
    $ 2.33万
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  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.33万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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发光配位聚合物纳米晶的光激发能量动力学研究
  • 批准号:
    26410063
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    2024
  • 资助金额:
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    24H00309
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    2024
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    $ 2.33万
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    24K08254
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    23K19123
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.33万
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    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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  • 批准号:
    23KJ1590
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    22K14303
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号:
    22K05277
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了