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Dynamic monitoring of the annealing processes between SiC/metal interface
动态监测SiC/金属界面之间的退火过程
基本信息
- 批准号：26630132
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（14）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain
借助飞秒激光诱导应变的 Ni/SiC 界面低温扩散
- DOI：10.2961/jlmn.2015.03.0014
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yusuke Takidani;Kazuki Morimoto;Kenta Kondo;Tomoyuki Ueki;Takuro Tomita;Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada
- 通讯作者：Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada
SiC基板への回路描画を目指したフェムト秒レーザー改質
飞秒激光修饰用于 SiC 基板上的电路绘制
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：板東 洋太;直井 美貴;富田 卓朗
- 通讯作者：富田 卓朗
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析
飞秒激光辐照Ni/SiC界面反应物性分析
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：近藤 健太;柳田 栄造;板東 洋太;出来 真斗;岡田 達也;富田 卓朗
- 通讯作者：富田 卓朗
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール
通过飞秒激光照射和低温退火向 Ni/SiC 界面引入应变
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：滝谷 悠介;近藤 健太;植木 智之;田中 康弘;富田 卓朗;岡田 達也
- 通讯作者：岡田 達也
フェムト秒レーザー照射による SiC 上へのオーミック電極作製の可能性
使用飞秒激光照射在 SiC 上制造欧姆电极的可能性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：滝谷 悠介;近藤 健太;直井 美貴;富田 卓朗;岡田 達也;富田 卓朗
- 通讯作者：富田 卓朗
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Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface
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- 影响因子：1.5
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