Rapid Thermal Processing (RTP) Gerät

快速热处理（RTP）设备

• 批准号: 401077070
• 金额: --
• 依托单位: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2017-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/401077070?language=en
• 关键词: Rapid; Thermal; Processing; RTP; Ger

Wir beantragen ein Rapid Thermal Processing (RTP) Gerät, welches in der Lage ist, für längere Zeiträume (Größenordnung 30min) bei Temperaturen von 1100°C-1150°C Silizium-Proben in einer reinen Wasserstoffatmosphäre zu tempern. Dazu ist zum einen eine Hochvakuummöglichkeit des RTP vonnöten als auch eine entsprechende Turbomolekularpumpe, die Prozessdrücke kleiner 10-3mbar ermöglicht. Darüber hinaus muss der Ofen sehr homogen Siliziumwafer bis 6“ oxidieren. Für beide Prozesse wird daher eine Crossbar Ausführung der Lampenheizung gefordert. Im Rahmen laufender Prozesse wurde festgestellt, dass die Nitridierung und Wasserstofftempern/Oxidation sich gegenseitig sehr nachteilig beeinflussen. Anstatt zu einem Silizium-Reflow zu führen, kommt es zu einer Ätzung von Siliziumstrukturen nachdem Nitridierungen in dem gleichen RTP durch-geführt werden. Beide Prozesse sind für unsere Arbeiten aber essentiell: Der Silizium Reflow wird verwendet um nano-elektromechanische Sensoren zu generieren und um Line-Edge Roughness Effekte für nanoelektronische und photonische Bauelemente zu glätten. Die Nitridierung ermöglicht ein „De-Pinnen“ des Fermilevels an Metall-Silizium Kontakten, was wir für die Herstellung von Solarzellen für die Wasserstofferzeugung als auch für die Herstellung von CMOS Bauelementen verwenden (werden), die bei tiefsten Temperaturen Spin Qubits kontrollieren sollen. Die Kombination beider Effekte – Entfernen von nativem Oxid durch H2 Tempern und anschließender Nitridierung – ist sehr erfolgsversprechend, aber nur in getrennten Öfen möglich.

我们将在拉格ist中进行快速热处理（RTP），在1100°C-1150°C的温度下进行30分钟的热处理。Dazu is zum einen eine Hochvakuummöglichkeit des RTP vonnöten als auch eine entsprechende Turbomolekularpumpe，die Prozessdrücke kleiner 10-3mbar ermöglicht.通常需要使用6”氧化硅的均质硅片。在前面的过程中，我们需要一个横杆来支撑灯。在Rahmen laufender Prozesse wurde festgestellt，dass die Nitridierung und Wasserstofftempern/Oxidation sich gegenseitig sehr nachteilig beeinflussen.在韦尔登过程中，硅回流焊可以在氮化后的硅结构中进行。Beide Prozesse sind für unsere Arbeiten aber essentiell：硅回流焊将使纳米机电传感器变得通用，并使线边缘粗糙度效应对纳米电子和光电子元件产生影响。氮化是一种金属-硅接触的费米能级的“去平”，我们为太阳能电池的热处理提供了热处理，也为CMOS组件的热处理提供了热处理（韦尔登），这是一种最强的温度自旋量子比特控制。Die Combination beider Effekte - Entfernen von nativem Oxid durch H2 Tempern und anschließender Nitridierung - ist sehr erfolgsversprechend，aber努尔in getrennten Öfen möglich.