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シリコン‐化合物半導体プレーナ型複合デバイスの研究
硅化合物半导体平面复合器件的研究
基本信息
- 批准号：58850056
- 负责人：
- 金额：$ 4.54万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
- 财政年份：1983
- 资助国家：日本
- 起止时间：1983 至 1984
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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Bi(Co_xFe_<1-x>)O_3薄膜的结构、铁电性和磁性能
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- 资助金额：
$ 4.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
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