多元系化合物半導体の固溶性に関する研究
多元系化合物半導体の固溶性に関する研究
批准号:
X00210----275158
负责人:
河東田 隆
金额:
$0.26万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1977
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1977 至 --
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会议论文
レーザラマン分光法による多結晶シリコン形成機構の解明と粒径制御
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批准号:10450013
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.06万
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财政年份:1998
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光によりその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:04205018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1992
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光によるその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:03205018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光法による金属ー半導体界面の評価
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批准号:03216206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光によるその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:02205020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1990
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光法による金属-半導体界面の評価
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批准号:01650512
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1989
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法によるII-VI族半導体中の格子欠陥の微視的評価
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批准号:62604528
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1987
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法による混晶半導体中の原子間結合の評価
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批准号:60222008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.67万
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财政年份:1985
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法による半導体イオン打込層の構造回復及び活性化機構の微視的解明
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批准号:59460051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.86万
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财政年份:1984
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
シリコン‐化合物半導体プレーナ型複合デバイスの研究
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批准号:58850056
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.54万
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财政年份:1983
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
半導体混晶系における組成空間分布の計測技術
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批准号:57850091
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1982
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
シリコン基板上への化合物半導体単結晶薄膜の新しい形成法とその素子への応用
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批准号:X00090----355136
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1978
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
マイクロ波及び光デバイスの長寿命化のための表面半絶縁性単結晶層の形成
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批准号:X00120----385050
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.26万
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财政年份:1978
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负责人:河東田 隆
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依托单位: