レーザラマン分光法による多結晶シリコン形成機構の解明と粒径制御
レーザラマン分光法による多結晶シリコン形成機構の解明と粒径制御
批准号:
10450013
负责人:
河東田 隆
金额:
$8.06万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 1999
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英文摘要
昨年度、伸長性の応力がアモルファスシリコンの結晶化を遅くすることが明らかになったため、本年度はまず圧縮性の応力が結晶化速度に及ぼす効果を調べた。その結果、圧縮性の応力によっても結晶化は遅くなることが明らかになった。これらの実験結果の妥当性を明らかにするために、結晶化機構を説明するモデルの構築を行った。従来報告されているモデルにおいては、応力に関して弾性歪と非弾性歪の効果が区別されていなかったのに対し、本研究で構築したモデルでは、それらを区別することにより、実験結果がよく説明できることが明らかになった。このモデルに関しては米国物理学会誌に投稿し、すでに採録が決定されている。また、応力がアモルファスシリコンを結晶化させる際の結晶粒径に及ぼす効果を検討した結果、応力の印加により、結晶粒径は増大することが明らかになった。これは応力により結晶化が遅くなるのに伴い、シリコン原子の移動がゆっくり起こり、より大きな結晶粒径が形成されるためと考えられる。以上のように、本研究によりアモルファスシリコンの結晶化について、特に応力との関係でその機構が明らかになると共に、結晶化速度及び結晶粒径の制御に応力を利用するための重要な知見が得られた。
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Y.Kimura,M.Kishi and T.Katoda: "Effects of Elastic Stress Introduced by a Si_3N_4 Cap on Solid-phase crystallization of Amorphous Silicon"J.Appl.Phys.. 86・4. 2278-2280 (1999)
Y.Kimura、M.Kishi 和 T.Katoda:“Si_3N_4 帽引入的弹性应力对非晶硅固相结晶的影响”J.Appl.Phys.. 86・4 (1999)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kimura,M.Kishi and T.Katoda: "Effects Elastic Stress Introduced by a Si_3N_4 Cap on Solid-phase Crystallization of Amorphous Silicon" J.Appl.Phys.(投稿済).
Y.Kimura、M.Kishi 和 T.Katoda:“Si_3N_4 帽对非晶硅固相结晶产生的弹性应力的影响”J.Appl.Phys(已提交)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kimura,M.Kishi and T.Katoda: "The Model of Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon under Elastic Stress"J.Appl.Phys.. (印刷中). (2000)
Y.Kimura、M.Kishi 和 T.Katoda:“弹性应力下非晶硅的固相结晶模型”J.Appl.Phys.(出版中)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kimura,M.Kishi and T.Katoda: "The Model of Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon under Elastic Stress" J.Appl.Phys.(投稿済).
Y.Kimura、M.Kishi 和 T.Katoda:“弹性应力下非晶硅的固相结晶模型”J.Appl.Phys(已提交)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
レーザラマン分光によりその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:04205018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1992
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光によるその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:03205018
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光法による金属ー半導体界面の評価
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批准号:03216206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光によるその場観察を用いた結晶成長の原子レベル制御
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批准号:02205020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1990
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レ-ザラマン分光法による金属-半導体界面の評価
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批准号:01650512
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1989
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法によるII-VI族半導体中の格子欠陥の微視的評価
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批准号:62604528
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1987
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法による混晶半導体中の原子間結合の評価
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批准号:60222008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.67万
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财政年份:1985
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
レーザラマン分光法による半導体イオン打込層の構造回復及び活性化機構の微視的解明
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批准号:59460051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.86万
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财政年份:1984
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
シリコン‐化合物半導体プレーナ型複合デバイスの研究
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批准号:58850056
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.54万
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财政年份:1983
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
半導体混晶系における組成空間分布の計測技術
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批准号:57850091
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1982
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
シリコン基板上への化合物半導体単結晶薄膜の新しい形成法とその素子への応用
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批准号:X00090----355136
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1978
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
マイクロ波及び光デバイスの長寿命化のための表面半絶縁性単結晶層の形成
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批准号:X00120----385050
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.26万
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财政年份:1978
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
多元系化合物半導体の固溶性に関する研究
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批准号:X00210----275158
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1977
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负责人:河東田 隆
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依托单位:
海外基金