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Investigation on an Outgassing Mechanism of Fluid Lubricated Bearings Using Ionic Liquids for Ultra-High Vacuum Circumstance

Investigation on an Outgassing Mechanism of Fluid Lubricated Bearings Using Ionic Liquids for Ultra-High Vacuum Circumstance
超高真空环境下离子液体流体润滑轴承脱气机理研究
批准号:
21K14068
负责人:
岡部 貴雄
金额:
$2.16万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
2年目は,初年度に製作したイオン液体循環装置からイオン液体の供給を受けて浮上する静圧型の軸受試験装置を設計・試作し,100 ml以上のイオン液体を循環中に浮上する条件下での真空対応性能を評価した.本研究の静圧軸受は半導体製造装置の機械要素を想定しているため,最も基本的構成と考えられる半導体ウエハを直接浮上させる構造とした.現状の製造装置では,低真空環境においてウエハ裏面からHeガスを供給してウエハと把持機構のすきまをみたしているが,これをイオン液体にすることで,ウエハの機械的非接触浮上,高い冷却性能を得ること,除電や超高真空プロセスが使用できるようになるなどのメリットが挙げられる.また,環境面においても,流体の循環再使用ができるというメリットがある.今回の研究では,主に超高真空環境下でウエハを浮上させた際のウエハ下のイオン液体挙動とアウトガスの評価を行った.試作した装置は,直径70 mmの円形軸受面を持ち,中心に直径0.5 mmのイオン液体供給孔をもつ.浮上量は,4 inchウエハを用いた際に20 umとなるように調整した.非浮上時の到達真空圧は,1.0×10^-5 Paであり,チャンバが空の状態と同様であった.イオン液体を循環させ,ウエハを浮上させた際の真空圧は5.5×10^-5 Paであり,静圧軸受動作中にも超高真空を維持可能な能なことを示した.流体の循環使用が可能な静圧型の流体軸受の動作中に10^-5 Paを維持可能なことを示した過去の研究には,代表者の知る限りでは存在しない.アウトガスにおいても,半導体製造に適用可能な範囲であることが示された.これらの成果は国際詩にまとめられ,投稿された.
英文摘要
2年目は,初年度に製作したイオン液体循環装置からイオン液体の供給を受けて浮上する静圧型の軸受試験装置を設計・試作し,100 ml以上のイオン液体を循環中に浮上する条件下での真空対応性能を評価した.本研究の静圧軸受は半導体製造装置の機械要素を想定しているため,最も基本的構成と考えられる半導体ウエハを直接浮上させる構造とした.現状の製造装置では,低真空環境においてウエハ裏面からHeガスを供給してウエハと把持機構のすきまをみたしているが,これをイオン液体にすることで,ウエハの機械的非接触浮上,高い冷却性能を得ること,除電や超高真空プロセスが使用できるようになるなどのメリットが挙げられる.また,環境面においても,流体の循環再使用ができるというメリットがある.今回の研究では,主に超高真空環境下でウエハを浮上させた際のウエハ下のイオン液体挙動とアウトガスの評価を行った.試作した装置は,直径70 mmの円形軸受面を持ち,中心に直径0.5 mmのイオン液体供給孔をもつ.浮上量は,4 inchウエハを用いた際に20 umとなるように調整した.非浮上時の到達真空圧は,1.0×10^-5 Paであり,チャンバが空の状態と同様であった.イオン液体を循環させ,ウエハを浮上させた際の真空圧は5.5×10^-5 Paであり,静圧軸受動作中にも超高真空を維持可能な能なことを示した.流体の循環使用が可能な静圧型の流体軸受の動作中に10^-5 Paを維持可能なことを示した過去の研究には,代表者の知る限りでは存在しない.アウトガスにおいても,半導体製造に適用可能な範囲であることが示された.これらの成果は国際詩にまとめられ,投稿された.
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
高真空対応の流体潤滑機構(イオン液体を用いた半導体製造装置用高真空対応流体軸受機構)
对应高真空的流体润滑机构(使用离子液体的半导体制造装置对应高真空的流体动压轴承机构)
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [岡部貴雄, 杣谷啓]
通讯作者: 杣谷啓
DOI: 10.4028/p-nsw1co
发表时间: 2024-02
期刊: Advances in Science and Technology
影响因子: --
作者: [Takao Okabe;Kei Somaya]
通讯作者: Takao Okabe;Kei Somaya
Semiconductor Wafer Floating System for High Vacuum Chamber Using an Ionic Liquid
使用离子液体的高真空室半导体晶圆浮动系统
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [杣谷啓, 小林優馬, 岡部貴雄, Okabe Takao]
通讯作者: Okabe Takao
Semiconductor Wafer Floating System for High Vacuum Chamber Using an Ionic Liquid
使用离子液体的高真空室半导体晶圆浮动系统
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [Takao Okabe, Kei Somaya]
通讯作者: Kei Somaya
14
    超高真空下における流体軸受内部のイオン液体挙動の解明
    • 批准号:
      24K07285
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.91万
    • 财政年份:
      2024
    • 负责人:
      岡部 貴雄
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    超高真空装置配套离心透平真空机
    基于多阶电流谐波抑制的超高真空复合分子泵低损耗控制方法与实验研究
    • 批准号:
      62103017
    • 项目类别:
      青年科学基金项目(C类)
    • 资助金额:
      30.0万元
    • 批准年份:
      2021
    • 负责人:
      陈宝栋
    • 依托单位:
    氮氧化物在氧化铈模型催化剂上吸附与反应的超高真空红外光谱研究
    • 批准号:
      21902005
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      25.0万元
    • 批准年份:
      2019
    • 负责人:
      杨成武
    • 依托单位:
    单层二维有机共价薄膜的超高真空表面在位合成及其器件应用
    • 批准号:
      21673118
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      65.0万元
    • 批准年份:
      2016
    • 负责人:
      申茜
    • 依托单位: