Investigation on an Outgassing Mechanism of Fluid Lubricated Bearings Using Ionic Liquids for Ultra-High Vacuum Circumstance

超高真空环境下离子液体流体润滑轴承脱气机理研究

基本信息

项目摘要

2年目は,初年度に製作したイオン液体循環装置からイオン液体の供給を受けて浮上する静圧型の軸受試験装置を設計・試作し,100 ml以上のイオン液体を循環中に浮上する条件下での真空対応性能を評価した.本研究の静圧軸受は半導体製造装置の機械要素を想定しているため,最も基本的構成と考えられる半導体ウエハを直接浮上させる構造とした.現状の製造装置では,低真空環境においてウエハ裏面からHeガスを供給してウエハと把持機構のすきまをみたしているが,これをイオン液体にすることで,ウエハの機械的非接触浮上,高い冷却性能を得ること,除電や超高真空プロセスが使用できるようになるなどのメリットが挙げられる.また,環境面においても,流体の循環再使用ができるというメリットがある.今回の研究では,主に超高真空環境下でウエハを浮上させた際のウエハ下のイオン液体挙動とアウトガスの評価を行った.試作した装置は,直径70 mmの円形軸受面を持ち,中心に直径0.5 mmのイオン液体供給孔をもつ.浮上量は,4 inchウエハを用いた際に20 umとなるように調整した.非浮上時の到達真空圧は,1.0×10^-5 Paであり,チャンバが空の状態と同様であった.イオン液体を循環させ,ウエハを浮上させた際の真空圧は5.5×10^-5 Paであり,静圧軸受動作中にも超高真空を維持可能な能なことを示した.流体の循環使用が可能な静圧型の流体軸受の動作中に10^-5 Paを維持可能なことを示した過去の研究には,代表者の知る限りでは存在しない.アウトガスにおいても,半導体製造に適用可能な範囲であることが示された.これらの成果は国際詩にまとめられ,投稿された.
In the first year of the second year, the design and trial production of a static pressure-type shaft test device for floating liquid circulation device and supply of liquid, 100 Evaluation of the vacuum sealing performance of liquids above ml that can be floated during circulation. In this study, the static pressure axis is assumed to be the mechanical element of the semiconductor manufacturing device, and the most basic structure of the semiconductor manufacturing device is directly exposed to the structure. The current manufacturing equipment is available, and the supply of low vacuum environment equipment is availableしてウエハと holding mechanism のすきまをみたしているが, これをイオン liquid にすることで, ウエハの mechanical non-contact floating, high cooling performance ること, static elimination やUltra-high vacuum vacuum cleaner uses できるようになるなどのメリットがげられる.また, Environmental aspect においても, Fluid recycling ができるというメリットがある. This time's research focuses on the floating of liquids under the ultra-high vacuum environment and the evaluation of floating liquids under the ultra-high vacuum environment. The trial device has a 70 mm diameter cylindrical shaft receiving surface and a central liquid supply hole with a diameter of 0.5 mm. The floating amount is 4 inches, and the 4-inch size is adjusted by 20 um size. When not floating, the vacuum pressure is reached, 1.0×10^-5 Pa is used, and the empty state is the same as the vacuum pressure.イオン liquid を circulation さ せ, ウ エ ハ を float さ せ た boundary の vacuum pressure 5.5×10^-5 Paであり, it is possible to maintain the ultra-high vacuum during the static pressure axis operation, and it can be shown that it is possible. It is possible to circulate the fluid, and the fluid axis of the static pressure type is subjected to the action of 10^-5 Pa. It is possible to maintain it, and it is possible to show the past research and research, and the representative is not aware of the limit and the existence of it.アウトガスにおいても, semiconductor manufacturing is applicable to the possibility of application. The result of これらの international poetry にまとめられ, contributed by された.

项目成果

期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
高真空対応の流体潤滑機構(イオン液体を用いた半導体製造装置用高真空対応流体軸受機構)
对应高真空的流体润滑机构(使用离子液体的半导体制造装置对应高真空的流体动压轴承机构)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡部貴雄;杣谷啓
  • 通讯作者:
    杣谷啓
Semiconductor Wafer Floating System for High Vacuum Chamber Using an Ionic Liquid
使用离子液体的高真空室半导体晶圆浮动系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    杣谷啓;小林優馬;岡部貴雄;Okabe Takao
  • 通讯作者:
    Okabe Takao
Development of a Hydrostatic Bearing in High Vacuum Using an Ionic Liquid for a Semiconductor Fabrication Device
  • DOI:
    10.4028/p-nsw1co
  • 发表时间:
    2024-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takao Okabe;Kei Somaya
  • 通讯作者:
    Takao Okabe;Kei Somaya
Semiconductor Wafer Floating System for High Vacuum Chamber Using an Ionic Liquid
使用离子液体的高真空室半导体晶圆浮动系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takao Okabe;Kei Somaya
  • 通讯作者:
    Kei Somaya
液体循環システム、基板処理装置及び液体循環方法
液体循环系统、基板处理装置及液体循环方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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