Control of metal contacts on polycrystalline Ge thin-film at low temperature
Control of metal contacts on polycrystalline Ge thin-film at low temperature
低温多晶Ge薄膜金属接触控制
批准号：
21K14199
负责人：
Moto Kenta
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-04-01 至 2023-03-31
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Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors
Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响
Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响
DOI：
10.1109/led.2021.3119014
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
[Moto Kenta, Yamamoto Keisuke, Imajo Toshifumi, Suemasu Takashi, Nakashima Hiroshi, Toko Kaoru]
通讯作者：
Toko Kaoru
a-Siキャップ付加による界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上
通过添加a-Si帽提高界面调制Sn掺杂Ge超薄膜/绝缘衬底的载流子迁移率
通过添加a-Si帽提高界面调制Sn掺杂Ge超薄膜/绝缘衬底的载流子迁移率
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原 龍太郎, 千代薗 修典, 茂藤 健太, 山本 圭介, 佐道 泰造]
通讯作者：
佐道 泰造
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
绝缘膜上固相生长Sn掺杂Ge薄膜及TFT应用
绝缘膜上固相生长Sn掺杂Ge薄膜及TFT应用
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古賀 泰志郎, 永野 貴弥, 茂藤 健太, 山本 圭介, 佐道 泰造]
通讯作者：
佐道 泰造
金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御
金属/多晶Ge界面费米能级钉扎的弛豫和肖特基势垒控制
金属/多晶Ge界面费米能级钉扎的弛豫和肖特基势垒控制
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高山 智成, 茂藤 健太, 都甲 薫, 王 冬, 山本 圭介]
通讯作者：
山本 圭介
多結晶Ge 系薄膜における分光感度の初実証
首次展示多晶锗基薄膜的光谱灵敏度
首次展示多晶锗基薄膜的光谱灵敏度
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tatsuya Inagaki, Katsura Igai, Yuichi Hongoh, Kenji Matsuura, Shimoda Jiro, 須田智晴, Shimoda Jiro, 溝口拓士，茂藤健太，末益崇，都甲薫]
通讯作者：
溝口拓士，茂藤健太，末益崇，都甲薫
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