Control of metal contacts on polycrystalline Ge thin-film at low temperature

低温多晶Ge薄膜金属接触控制

基本信息

  • 批准号：
    21K14199
  • 负责人：
    Moto Kenta
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2021
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2021-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（24）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors
Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响
  • DOI：
    10.1109/led.2021.3119014
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Imajo Toshifumi;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru
  • 通讯作者：
    Toko Kaoru
a-Siキャップ付加による界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上
通过添加a-Si帽提高界面调制Sn掺杂Ge超薄膜/绝缘衬底的载流子迁移率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    原 龍太郎;千代薗 修典;茂藤 健太;山本 圭介;佐道 泰造
  • 通讯作者：
    佐道 泰造
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
绝缘膜上固相生长Sn掺杂Ge薄膜及TFT应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    古賀 泰志郎;永野 貴弥;茂藤 健太; 山本 圭介; 佐道 泰造
  • 通讯作者：
    佐道 泰造
金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御
金属/多晶Ge界面费米能级钉扎的弛豫和肖特基势垒控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高山 智成;茂藤 健太;都甲 薫;王 冬;山本 圭介
  • 通讯作者：
    山本 圭介
多結晶Ge 系薄膜における分光感度の初実証
首次展示多晶锗基薄膜的光谱灵敏度
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tatsuya Inagaki;Katsura Igai;Yuichi Hongoh;Kenji Matsuura;Shimoda Jiro;須田智晴;Shimoda Jiro;溝口拓士，茂藤健太，末益崇，都甲薫
  • 通讯作者：
    溝口拓士，茂藤健太，末益崇，都甲薫
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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津波被災地における〈生〉の復興、地域社会のゆくえ
恢复海啸受灾地区当地社区的生活和未来
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Imajo Toshifumi;Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru;望月美希
  • 通讯作者：
    望月美希
「受容と書き手 ー関口、柳報告へのコメント」
《接待与作家——对关口和柳报告的评论》
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Imajo Toshifumi;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru;上村剛
  • 通讯作者：
    上村剛
Low-temperature (<200 oC) solid-phase crystallization of high substitutional Sn concentration (>10%) GeSn on insulator enhanced by weak laser irradiation
低温%20(<200%20oC)%20固相%20结晶%20of%20高%20替代%20Sn%20浓度%20(>10%)%20GeSn%20on%20绝缘体%20增强%20by%20弱%20激光%20辐照
  • DOI：
    10.1063/1.4993220
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    AIP Advances
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Moto Kenta;Sugino Takayuki;Matsumura Ryo;Ikenoue Hiroshi;Miyao Masanobu;Sadoh Taizoh
  • 通讯作者：
    Sadoh Taizoh

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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  • 资助金额：
    $ 3万
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{{ showInfoDetail.title }}

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