Self-Aligned Embedded Metal Double-Gate Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated at Low Temperature on Glass Substrate

玻璃衬底上低温制作的自对准嵌入式金属双栅多晶硅薄膜晶体管

• 批准号: 22560341
• 负责人: HARA Akito
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Tohoku Gakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560341/
• 关键词: 電子デバイス・集積回路; 薄膜トランジスタ; TFT; poly-Si; ダブルゲート; 多結晶シリコン; 電子デバイス・機器; マイクロ・ナノデバイス; 先端機能デバイス; ディスプレイ; 他結晶シリコン

Self-aligned planar metal double-gate n-channel (n-ch) and p-channel (p-ch) polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) consisting of an embedded bottom metal gate, a top metal gate fabricated by a self-alignment process, and a lateral poly-Si film with a grain size greater than 2 μm were fabricated on a glass substrate at 550 ℃. The TFTs are called embedded metal double-gate (E-MeDG) low-temperature (LT) poly-Si TFTs. The nominal field-effect mobility and its subthreshold slope are, respectively, 530 cm2/Vs and 140 mV/dec for n-ch E-MeDG LT poly-Si TFTs, and 135 cm2/Vs and 150 mV/dec for p-ch TFTs. The superior performance of the E-MeDG LT poly-Si TFTs will contribute to the fabrication of high-speed, low-power CMOS poly-Si TFT circuits on glass substrates.

在 550 ℃ 的玻璃基板上制备了自对准平面金属双栅 n 沟道 (n-ch) 和 p 沟道 (p-ch) 多晶硅 (poly-Si) 薄膜晶体管 (TFT)，该晶体管由嵌入式底部金属栅极、自对准工艺制造的顶部金属栅极和晶粒尺寸大于 2 μm 的横向多晶硅薄膜组成。这些 TFT 称为嵌入式金属双栅 (E-MeDG) 低温 (LT) 多晶硅 TFT。 n 沟道 E-MeDG LT 多晶硅 TFT 的标称场效应迁移率及其亚阈值斜率分别为 530 cm2/Vs 和 140 mV/dec，p 沟道 TFT 的标称场效应迁移率及其亚阈值斜率分别为 135 cm2/Vs 和 150 mV/dec。 E-MeDG LT 多晶硅 TFT 的卓越性能将有助于在玻璃基板上制造高速、低功耗 CMOS 多晶硅 TFT 电路。

项目成果

High-Performance CMOS Inverters Comprising Lateral Large-Grained Low-Temperature Poly-Si TFTs on Transparent Flexible Glass

透明柔性玻璃上包含横向大晶粒低温多晶硅 TFT 的高性能 CMOS 逆变器

• 发表时间: 2012
• 期刊: Ext. Abst. 2012 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
• 作者: S. Kamo;K. Kondo and A. Hara
• 通讯作者: K. Kondo and A. Hara

半導体装置の製造方法

半导体装置的制造方法

• 发表时间: 2009

埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲートpoly-Si TFT

具有埋栅结构的玻璃上自对准金属双栅多晶硅 TFT

• 发表时间: 2012
• 作者: 尾形浩之;一條賢治;近藤健二;岡部泰典;鹿裕将;加茂慎哉;原明人
• 通讯作者: 原明人

多結晶半導体膜の形成方法

多晶半导体膜的形成方法

• 发表时间: 2011

Semiconductor Device

半导体器件

• 发表时间: 2018