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SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明

SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
基于原子论和量子论阐明SiC MOS反型层电子传输机制
批准号:
24K17310
负责人:
田中 一
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2029-03-31
关键词:

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淡明細胞型腎細胞癌における浸潤性増殖能獲得のプロセスと腫瘍免疫学的背景の解明
  • 批准号:
    23K08774
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $2.91万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    田中 一
  • 依托单位:
ワイドギャップ半導体における衝突イオン化現象の理論研究
  • 批准号:
    21K14195
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额:
    $2.91万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    田中 一
  • 依托单位:
腎癌の発育形態と被膜周囲微小環境の病理学的探索および新規リスクモデルの構築
  • 批准号:
    20K18109
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额:
    $2.66万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    田中 一
  • 依托单位:
高性能パワーデバイスに向けたSiC MOS界面におけるキャリア輸送現象の理論研究
  • 批准号:
    18J00168
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $2.33万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    田中 一
  • 依托单位: