课题基金 / 基金详情

高性能パワーデバイスに向けたＳｉＣ　ＭＯＳ界面におけるキャリア輸送現象の理論研究

高性能パワーデバイスに向けたＳｉＣ　ＭＯＳ界面におけるキャリア輸送現象の理論研究
高性能功率器件SiC MOS界面载流子传输现象的理论研究
批准号：
18J00168
负责人：
田中 一
金额：
$2.33万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-25 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18J00168/
关键词：
SiCMOSHall移動度モンテカルロ

项目摘要

项目成果

田中 一的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
SiC MOSFETは、次世代パワーデバイスとして注目されているが、そのMOS界面には多数の界面欠陥が存在し、反転層における電子輸送については未解明な点が多い。本研究においては、まず、SiC MOS反転層における電子状態をシュレディンガー方程式とポアソン方程式を自己無撞着に解いて求めた。次に、SiC MOS界面に多数存在する界面準位に捕獲された電子による散乱を定式化した。ここでは、捕獲電荷がクーロン散乱を生じるだけでなく遮蔽効果ももたらすとしたモデル化を行った。さらに、フォノン散乱・ラフネス散乱・イオン化不純物散乱・電気的に中性な欠陥による散乱もモデル化して、このモデルによりHall移動度を計算した。ここで、電気的に中性な欠陥による散乱は、空間的に局在した摂動ポテンシャルにより表現した。その結果、Hall移動度は、高温ほど低下し、かつ界面準位密度にあまり依存しないという、実験結果と整合する結果が得られた。さらに、中性欠陥の密度とラフネスの振幅・相関長をパラメータとして実験結果へのフィッティングを行い、高アクセプタ密度の場合ほど中性欠陥密度が大きくなるとした場合に、実験で報告されているHall移動度のアクセプタ密度および実効垂直電界に対する依存性を再現できることを示した。上の研究においては、空間的に局在した摂動ポテンシャルを用いて中性欠陥による散乱を表現した。このようなポテンシャルが分布する系におけるキャリア輸送を、フェルミの黄金率を用いた散乱レートによる半古典的な計算ではなく、量子論的に扱うため、非平衡グリーン関数法を用いた計算も行った。これにより、空間的に局在したポテンシャルで表現されるような欠陥がHall移動度に与える影響について、量子論的な解析を行った。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
4H-SiC MOS 反型层中电子传输的建模
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋拓也, 小野原彩香, 井原泰雄, 小野原彩香, 田中　ー，森　伸也, H. Tanaka and N. Mori, 田中　ー，森　伸也, 田中　ー，森　伸也]
通讯作者： 田中　ー，森　伸也
Simulation of Electron Mobility in 4H-SiC MOS Interface Focusing on Impacts of Interface States
4H-SiC MOS 界面中的电子迁移率仿真，重点关注界面态的影响
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋拓也, 小野原彩香, 井原泰雄, 小野原彩香, 田中　ー，森　伸也, H. Tanaka and N. Mori]
通讯作者： H. Tanaka and N. Mori
4H-SiC MOS反転層におけるHall移動度の理論的検討
4H-SiC MOS反型层霍尔迁移率的理论研究
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋拓也, 小野原彩香, 井原泰雄, 小野原彩香, 田中　ー，森　伸也]
通讯作者： 田中　ー，森　伸也
4H-SiC MOS反転層における電子移動度の理論的検討
4H-SiC MOS反型层电子迁移率理论研究
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋拓也, 小野原彩香, 井原泰雄, 小野原彩香, 田中　ー，森　伸也, H. Tanaka and N. Mori, 田中　ー，森　伸也]
通讯作者： 田中　ー，森　伸也
SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
  • 批准号：
    24K17310
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    田中 一
  • 依托单位：
    Osaka University
淡明細胞型腎細胞癌における浸潤性増殖能獲得のプロセスと腫瘍免疫学的背景の解明
  • 批准号：
    23K08774
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    田中 一
  • 依托单位：
    Tokyo Medical and Dental University
ワイドギャップ半導体における衝突イオン化現象の理論研究
  • 批准号：
    21K14195
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    田中 一
  • 依托单位：
    Osaka University
腎癌の発育形態と被膜周囲微小環境の病理学的探索および新規リスクモデルの構築
  • 批准号：
    20K18109
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    田中 一
  • 依托单位：
    Tokyo Medical and Dental University
国内基金
海外基金
基于霍尔解耦的二维MoS₂相梯度湿气发电电子-离子协同输运研究
  • 批准号：
    2026JJ50113
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    黄晖辉
  • 依托单位：
    湖南大学
光辅助Li-CO2电池中MoS2催化剂性能调控及机理研究
  • 批准号：
    2026JJ90008
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    赵亭亭
  • 依托单位：
    长沙理工大学
基于MoS2欧姆接触强化锂硫电池双向电催化转化机制的研究
  • 批准号：
    JCZRQNB202600380
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
  • 依托单位：
    湖北第二师范学院
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
  • 批准号：
    2026JJ50115
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    陈智慧
  • 依托单位：
    中南大学