熱中性子により核変換された半導体のレーザ・アニーリングによるs-i構造の試作

通过热中子嬗变半导体的激光退火制造 s-i 结构的原型

基本信息

  • 批准号：
    X00120----485001
  • 负责人：
    菅野 卓雄
  • 金额：
    $ 6.4万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 财政年份：
    1979
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    1979 至 1980
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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知道了