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プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化

プラズマ酸化及びエピタキシー法による化合物半導体素子の表面不活性化
使用等离子体氧化和外延方法对化合物半导体器件进行表面钝化
批准号：
X00040----021805
负责人：
菅野 卓雄
金额：
$4.48万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1975
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1975 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----021805/
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クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究
  • 批准号：
    05302035
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额：
    $3.07万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    菅野 卓雄
  • 依托单位：
    Toyo University
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
  • 批准号：
    03210210
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $4.8万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    菅野 卓雄
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
高温超伝導材料の集積回路への応用の研究
  • 批准号：
    02226210
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $6.34万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    菅野 卓雄
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開
  • 批准号：
    01306013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    菅野 卓雄
  • 依托单位：
    The University of Tokyo