高エネルギー陽子の中性化を利用した単結晶表面の伝導電子密度解析

利用高能质子中和法进行单晶表面传导电子密度分析

• 批准号: 10750046
• 负责人: 鈴木 康文
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Osaka Kyoiku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 1999
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-10750046/
• 关键词: 超高真空; 清浄表面; イオン加速器; 中性化; 表面価電子; スパッタリング; 単結晶薄膜; 単結晶表面; 多結晶薄膜

本年度,KCl(001)面上に真空蒸着法で単結晶のAl(001)薄膜を作製した。電子顕微鏡で結晶性を観察した結果,結晶性の良い薄膜が得られていることがわかった。この薄膜を,チャネリング実験のためにセルフサポートの状態で,また表面散乱実験のためにKClに蒸着したままの状態で,平成10年度に作製したゴニオメータに取り付けた。本年度はゴニオメータの回転機構をチャネリング実験のため二軸に増やし、結晶軸をビーム方向に1mrad程度の精度で回すことができるようにした。また,結晶の表面を清浄化するためのArスパッタ銃として用いる目的で,PIG型イオン源を変形した電子振動型イオン源を自作し,スパッタ銃運転中の真空槽の真空度とArイオンビーム量を測定した。この結果,真空度が1×10^<-5>Torrで1〜2μAのビームが得られることがわかった。ビーム量としては十分であるが,真空度についてはあと一桁程度の改善が可能であろう。これらの準備の後,平成10年度に作製した小型の超高真空イオン散乱システムを用いて,奈良女子大学理学部物理学教室において,物質分析用静電加速器からの数100KeVのH^+,He^+ビームをゴニオメータ上の単結晶Al薄膜,単結晶Al(001)表面に入射し,散乱イオンの測定を行った。多結晶Al薄膜については,H^+入射における中性分率の測定を終え,本年3月の日本物理学会での発表を予定している。単結晶Al(001)表面の清浄化と平坦化に及んでいないため,表面散乱したイオンの収量も少なく,現在のところ十分なデータが得られていない。しかし,単結晶Al薄膜は結晶性が良いため,入射イオンを面チャネリングイオンさせることは簡単にできた。現在のところ面チャネリングイオンと表面散乱イオンのもつ情報を直接比較することはできないが,今後改良を加えたスパッタ銃でAl薄膜を清浄化し,散乱イオンの荷電状態の比較を行う予定である。

This year, a thin film of Al(001) crystallized by vacuum evaporation on KCl(001) surface was produced. The result of the crystallinity observation using electron microscopy showed that the crystallinity of the thin film was good. The film is in good conditionめにKClにSTEAMINGしたままのSTATEで, Heisei 10にproduced したゴニオメータにGETりpayけた. This year's はゴニオメータの転社 をチャネリング実験のためtwo-axis に嗗やし, The direction of the crystal axis is 1mrad with an accuracy of about 1mrad.また, crystal surface を clearing するためのArスパッタ铳として use いるpurpose で, PIG type イオンsource を変shaped しThe electron vibration type source is self-made, and the vacuum degree of the vacuum chamber in the electronic vibration gun is measured. As a result, the degree of vacuum is 1×10^<-5>Torr, and the vacuum degree is 1~2μA. The amount of vacuum is very high, and the degree of vacuum can be improved even if the degree of vacuum is high. After the preparation of the vacuum cleaner, in 2010, we produced a small ultra-high vacuum vacuum cleaner, which was used in the physics classroom of Nara Women's University, Faculty of Science, and electrostatic acceleration for material analysis. The number of the device is 100KeV H^+, He^+ ビームをゴニオメータ, a single crystalline Al thin film, a single crystalline Al(001) surface is incident, and the scattered イオンのmeasurement is done. The determination of the neutral fraction of the polycrystalline Al thin film and the H^+ incident neutral fraction were determined in March of this year. The surface of single crystal Al(001) is clean and flattened, and the surface is scattered. The amount of したイオンの成も小なく, and now the のところ十なデータがgets られていない.しかし, single crystalline Al thin film, good crystallinity, incident イオンをsurface, チャネリングイオンさせることは Simple じにできた. Now のところ面チャネリングイオンとsurface scattered イオンのもつinformationをdirect comparisonすることはできないが, In the future, we will improve and improve the performance of the Al film and the comparison of the state of charge of the scattered ones.

项目成果

Y.Suzuki: "Neutralization of specularly reflecting H_+ ions on a clean (001) surface of SnTe"Eur. Phys. J.D. 7. 31-38 (1999)

Y.Suzuki：“在 SnTe 的干净 (001) 表面上镜面反射 H_ 离子的中和”Eur。