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レーザーを用いたSILAR法によるエピタキシー膜の室温合成

激光SILAR法室温合成外延膜

基本信息

批准号：
10750492
负责人：
西野純一
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Nagaoka University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至 1999
项目状态：
已结题

项目摘要

アセチルアセトナト亜鉛とアセチルアセトナトインジウムをアセトンに溶解し,基板上にディップコートすることにより前駆体膜を作製した.大気中において,この前駆体膜にArF(λ=193nm)もしくはKrF(λ=248nm)エキシマーレーザーを用いて紫外光を照射し,酸化物薄膜を得た.ArFエキシマー・レーザー照射により合成した酸化インジウム膜においては,照射回数4000回でほぼ有機物および0H基は分解され,酸化インジウム膜の結晶化が確認できた.合成された膜の可視光透過率は80%以上であった.一方,比較としてD_2ランプ光を照射した膜においては,酸化インジウムのみではなく水酸化インジウムも生成しており,本法による紫外線照射による酸化インジウム膜の合成においては,まず水酸化インジウムが生成し,次に酸化インジウムが生成するという2つの過程をへて進行していることが示唆された.KrFエキシマー・レーザーによる紫外線照射での膜の結晶化は,部分的に膜表面が昇華していること,繰り返し周波数10Hzでは結晶化しないが15Hzでは結晶化が起ったことから,表面の局所的昇温効果であることが示唆された.ArF,KrFエキシマーレーザー照射により,酸化亜鉛についてはc軸配向膜が得られたが,0001面サファイア単結晶を基板として用いた場合でもエピタキシー薄膜は得ることができなかった.さらに,YSZ単結晶基板を用いて合成した酸化インジウム膜についてもエピタキシー薄膜を得ることはできなかった.また,SILAR法による薄膜合成については,亜鉛イオンおよびアンモニア溶液を調整し、0001面サファイア単結晶基板をこの原料溶液と蒸留水の洗浄液に順に浸漬し、大気中でエキシマレーザー照射を行い膜の結晶化を行った.しかし,現在のところ結晶性酸化亜鉛膜は得られたが,エピタキシー薄膜は得られていない.

The substrate is prepared by dissolving the precursor film on the substrate. ArF (λ = 193 nm) was used as precursor film to prepare acid film. ArF (λ = 248 nm) was used as precursor film to prepare acid film. ArF (λ = 248 nm) was used as precursor film to synthesize acid film. The visible light transmittance of the composite film is more than 80%. On the other hand, compared with D_2 light irradiation, the film is acidified, and the film is acidified. In this method, the film is acidified and the film is synthesized by ultraviolet irradiation. Secondly, the process of acidifying the membrane to form the membrane 2 is carried out continuously. When the membrane is crystallized under ultraviolet irradiation by KrF, part of the membrane surface is sublimated, and the return wave number of 10 Hz is crystallized and 15 Hz is crystallized. This shows the effect of temperature rise on the surface. ArF, KrF Today, YSZ single crystal substrate is used for synthesis and acidification of its film. In addition, the SILAR method is used to synthesize thin films. The solution is adjusted to 0001-surface conditions. The raw material solution of the crystalline substrate is washed with distilled water, and the crystallization of the thin film is carried out by immersion and irradiation. The crystalline acidified lead film is now available.