電子励起に起因する結晶中のイオン移動

由于电子激发而导致晶体中的离子运动

基本信息

  • 批准号:
    09740247
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

昨年度に引き続き、熱力学的に準平衡状態にある固体中の構成原子(イオン)移動に関する研究を行った。試料はアルカリハライド単結晶、及びそのハロゲンを変えた混晶系を対象とした。混晶系に関しては、薄膜化することによって、通常は相分離して混晶化しないようなアルカリハライド混晶を作製した。単結晶試料の劈開表面にレーザー光を照射し、表面からの原子離脱を観察した。照射後の表面の観察から原子離脱の量が判定できるように、照射光に空間的強度変調を持たせて測定した。その測定の結果、表面からの原子離脱が生じるための励起光強度にはある閾値が存在することが明らかになった。さらに、この閾値とアルカリハライド原子(イオン)当たりの結合エネルギーとの関係を、他の半導体の場合と比較することで、共通の関係が存在することが明らかになった。これらの結果から、光励起による表面原子離脱現象には物質に依らない共通の素過程が関与しているものと考えられる。また、混晶薄膜結晶にタリウム型不純物を添加し、その吸収スペクトルと混晶比との関係を調べた。タリウム型不純物に起因する吸収帯はその不純物のまわりの環境に大きく影響されるので、その吸収帯のスペクトル形状を詳細に解析することにより、不純物のまわりのハロゲンイオンの種類を判別することができる。本研究では、混晶比を変えた場合の不純物吸収帯の変化に着目した。その結果、タリウム型不純物のまわりのハロゲンイオンは混晶比に一致せず、ある混晶比を境に、まわりのイオンの種類を急激に変えていくことが明らかになった。これは不純物がイオンを選択的にまわりに引きつけているためと考えられる。
Research on the movement of constituent atoms in solids in quasi-equilibrium states of thermodynamics The sample was prepared by mixing the crystals and the mixed crystals. Mixed crystal system is related to the formation of thin films, usually phase separation, mixed crystal system The crystal sample is cleaved by light, and the surface is observed by atomic dissociation. After irradiation, the amount of atomic separation is determined by observing the surface, and the intensity of the irradiated light is continuously measured. The results of the measurement, the atomic separation of the surface, the excitation intensity, the existence of the threshold, the excitation intensity, the excitation intensity, the excitation intensity. When the threshold value of a semiconductor is zero, the atomic value of a semiconductor is zero. The result of this phenomenon is that the surface atoms are separated from each other by light excitation. The relationship between the impurity addition, absorption and crystal mixing ratio of the mixed crystal thin film is adjusted. The reason for impurity absorption is that the impurity absorption is affected by the environment, and the impurity absorption is analyzed in detail. In this study, the impurity absorption spectrum was studied under different crystal ratios. As a result, the impurity of the type of impurity is mixed with the crystal ratio, and the crystal ratio is mixed with the crystal ratio. This is the first time I've ever seen an impurity.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
市村〓子 他: "エキシマレーザー(193nm)照射による結晶表面の破壊" 第5回メゾ材料シンポジウム講演要旨集. 133-134 (1997)
Ichimura 等人:“准分子激光 (193nm) 照射对晶体表面的破坏”第五届介观材料研讨会摘要 133-134 (1997)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
橋本哲,他: "アルカリハライド結晶におけるレーザーアブレーションによる回折パターン" 光物性 研究会 98. 129-132 (1998)
Satoshi Hashimoto 等人:“碱金属卤化物晶体中激光烧蚀的衍射图案”光学物理研究组 98. 129-132 (1998)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
N.Ichimura,他: "Radiation effects of an ArF excimer laser in alkali iodide crystals" Radiation Effects and Defects in Solids. 発表予定.
N. Ichimura 等人:“ArF 准分子激光器在碱金属碘化物晶体中的辐射效应”,固体中的辐射效应和缺陷。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Hashimoto,他: "Luminescence and defect formation under ArF excimer laser irradiation in alkari iodide crystals" Journal of Luminescence. 発表予定.
S. Hashimoto 等人:“ArF 准分子激光照射下碘化物晶体中的发光和缺陷形成”,发光杂志即将出版。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 1.41万
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    2007
  • 资助金额:
    $ 1.41万
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知道了