電子論による水素吸蔵合金の理論的な特性予測とそれに基づく新合金の設計と開発
電子論による水素吸蔵合金の理論的な特性予測とそれに基づく新合金の設計と開発
批准号:
10750515
负责人:
湯川 宏
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
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英文摘要
本研究では、水素吸蔵合金中の水素の占有状態を明らかにし、それを材料設計に応用するために、種々の水素吸蔵合金中の水素の電子状態の計算を行った。さらに、幾つかの合金について、その水素吸蔵特性を実験から調べた。電子構造の計算には、分子軌道法の一つであるDV-Xαクラスター法を用いた。計算より、結合次数の比(=2×Bo(A-B)/(Bo(A-A)+Bo(B-B))を求め、合金の化学組成との関係を調べた。一連の計算より、既存の水素吸蔵合金には、結合次数の比と合金の化学組成との間に関係が有ることが明らかになった。この関係は、軽量水素吸蔵合金として期待されるMg系水素吸蔵合金にも適用できることが明らかになった。上記の結合次数の比と合金の組成比の関係について、さらに理解を深めるために、結合次数の比が異なる2つのモデル合金(Ti-Mo系およびZr-Ga系)について、その水素吸蔵特性を調べた。Ti-Mo系合金では、結合次数の比(約0.99)と合金組成の比のバランスが最も良いTi_<50>Mo_<50>合金において、吸蔵・放出が可能な有効水素量が最大となった。このように、Ti-Mo系不規則合金においても、結合次数の比と合金組成の関係が成り立つことが明らかになった。一方、結合次数の比が約1.50と大きいZr-Ga系合金では、Zr/Ga比の大きい場合(例、Zr_5Ga_3)においても、不均化反応が起こることなく、かなりの量の水素が合金中に入ることが明らかになった。この外、バナジウム合金の水素化物安定性に及ぼす合金元素の影響を系統的に調べた。
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K.Nakatsuka: "Roles of the Hydride Forming and Non-forming Elements in Hydrogen Storage Alloys"J.Alloys and Compounds. 293-295. 222-226 (1999)
K.Nakatsuka:“氢存储合金中氢化物形成和非形成元素的作用”J.合金和化合物。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
湯川宏: "水素修飾による局在量子構造と合金設計"まてりあ. (印刷中).
Hiroshi Yukawa:“氢改性的局域化量子结构和合金设计”Materia(正在出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Matsumura: "Alloying Effects on the Electronic Structure of ZrMn_2 Intermetallic Hydride" J.Alloys and Compounds. 279. 192-200 (1998)
T.Matsumura:“合金化对 ZrMn_2 金属间氢化物电子结构的影响”J.合金和化合物。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Morinaga: "Recent Progress in Alloy Design Based on Molecular Oribital Theory" Proc.of the Special Symp.on Advanced Materials. 4. 353-356 (1998)
M.Morinaga:“基于分子轨道理论的合金设计的最新进展”Proc.of the Special Symp.on Advanced Materials。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Yukawa: "Chemical Bond State and Hydride Structures of Hydrogen Storage Alloys" Proc.of the Inter.Symp.on Metal Hydrogen Systems. 印刷中.
H. Yukawa:“储氢合金的化学键状态和氢化物结构”,Inter.Symp.on 金属氢系统论文集,正在出版。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 25 条
限界電流による新しい水素透過能センシングデバイスの開発と5A族金属膜の特性評価
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批准号:14655230
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2002
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负责人:湯川 宏
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依托单位:
分子軌道法による水素吸蔵合金の水素占有サイトの解析とそれに基づく合理的材料設計
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批准号:12750620
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2000
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负责人:湯川 宏
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依托单位:
海外基金