权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シリコン、ゲルマニウム基多元系非晶質および部分ナノ結晶化合金の作製、構造と性質

硅、锗基多元非晶及部分纳米晶合金的制备、结构与性能

基本信息

批准号：
11750634
负责人：
LOUZGUINE Dmitri Valentinovich
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度では、主にゲルマニウム基多元系非晶質合金の作製と性質の測定を重点的に研究した。その結果、急速凝固により直接0.1mmのゲルマニウムおよびシリコン基非晶質合金を作製することに成功した。また、ホットプレス法により、非晶質相のまま直径10mmのバルク棒状試料として固化成形することに成功した。さらに、ゲルマニウム-ニッケルーランタン、ゲルマニウム-リチウム-カルシウムに代表される、ゲルマニウム-重金属-軽金属合金で、新しく非晶質相が生成することを見出した。ゲルマニウム-クロムーアルミニウム-セリウム-サマリウム非晶質合金が、多段階で結晶化を起こし、ゲルマニウムおよび金属間化合物が結晶化で同時に生じる異常な結晶化であることをX線回折および透過電顕観察により見出した。また、キッシンジャー法により非晶質相からの結晶化過程の動力学的な解析を行い、アブラミ・プロットが示す結晶化様式から反応指数2.8を得た。ゲルマニウム-ニッケルーランタン非晶質合金のX線回折には分裂がみられ、透過電子顕微鏡観察により、これは急速凝固中に生じたナノメートルサイズの結晶相が非晶質母相の中に埋め込まれた非晶質-ナノ結晶混相組織が得られていることを確認した。シリコンおよびゲルマニウム高濃度非晶質合金の電気抵抗測定により、ゆるやかな負の温度依存性を示すことを明らかにした。これらの合金は室温で8〜12μΩmの電気抵抗を有し、この値は通常の非晶質合金と非晶質半導体の中間に位置することがわかった。

This year, we will focus on the study of amorphous alloys based on multi-component systems. The results of rapid solidification and rapid solidification were used to determine the success of the base amorphous alloy in the 0.1mm process. The amorphous phase, the diameter 10mm, the rod material, the curing process, the success. The metal metal, metal alloy, new amorphous phase are generated by the new amorphous phase. The mechanical properties of amorphous alloys, the crystallization of multi-stage alloys, the crystallization of intermetallic compounds and the crystallization of intermetallic compounds were observed by scanning electron microscopy (XRD). The crystallization process of amorphous phase alloying was tested by the analytical method of the kinetic mechanics. the results showed that the crystallization formula showed that the reaction index was 2.8. The X-ray diffraction of the amorphous alloy X-ray analysis shows that the amorphous alloy is characterized by X-ray diffraction, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, rapid solidification and rapid solidification. The microstructure of the amorphous matrix phase is embedded in the amorphous matrix phase, and the microstructure is confirmed by the microstructure. The temperature dependence of high temperature amorphous alloys on the electrical resistance test and temperature dependence of high temperature amorphous alloys is very sensitive. The ambient temperature of the alloy is 8 ~ 12 μ Ω m. The resistance of the battery is very low, and the temperature is usually low in the amorphous alloy. The temperature is very low in the amorphous alloy.