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X線光電子回折法を用いた収束イオンビーム加工断面の表層領域損傷評価

利用X射线光电子衍射法评价聚焦离子束加工截面表层损伤

基本信息

批准号：
11750700
负责人：
石井秀司
金额：
$ 1.41万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11750700/
关键词：
光電子回折集束イオンビーム加工薄膜界面表面構造 X線マルチエネルギー強力X線光源 X線光電子回折オージェ電子回折二次イオン質量分析収束イオンビーム加工ガリウム収束イオンビーム光電子ホログラフィー

项目摘要

収束イオンビームによる表面微細加工に伴う加工断面の汚染と構造・化学状態の変化を、X線光電子回折法・オージェ電子回折法により明らかにすることを目的とする。プローブとする光電子およびオージェ電子の運動エネルギーを変化させることで、電子の脱出深さを変えて、測定対象の深さ領域を最表面から10原子層程度の領域で設定することが可能である。これにより、単にイオンビームにより加工された断面の最表面のみの構造・組成だけでなく、深さ方向にどのような組成・構造変化が起きているかを明らかにすることができる。このような観点に立ち、本研究を実行し、以下の成果を得た。1.イオン加工断面の光電子回折測定の実験条件の検討集束イオンビーム加工した断面を実際に光電子・オージェ電子回折法で評価する際の測定条件や試料および検出器等の空間的配置などについての検討を行い、これを元に電子銃等の増設など光電子回折測定装置の改良を行った。2.プローブの多様化のためのマルチエネルギー強力X線発生装置の評価さまざまな深さ領域の原子から信号を得るために、別途開発したマルチエネルギー強力X線のCr-L、Al-K、Cu-K光源の評価を行い、これらを光源として際の測定対象領域や光電子強度や測定範囲などの検討を行った。3.光電子回折による薄膜・表面の構造解析上記の測定装置・光源を用いて、イオンビーム加工断面評価の前段階として、Ge(111)表面や、電子銃フィラメントのモデル系試料表面などの2次元光電子回折測定を行い、イオンビーム加工断面評価のための基礎データを得た。ただし、別途製作していたイオンビーム加工装置や上記の光電子回折装置等の立上の遅れなどにより、集束イオンビーム加工断面の評価を実際に行うことは時間的に不可能であった。しかしながら、加工装置が稼動すれば加工断面評価を充分行うに値する性能を有することは確認できた。

The surface micromachining is accompanied by the contamination of the machined section, the structure, the chemical state, the X-ray photoelectron reflection method, the electron reflection method, and the purpose. The photoelectron and electron motion can be changed from one to the other, and the electron can be separated from the other. The image can be measured in a field of 10 atomic layers at the surface. The structure and composition of the surface of the machined section are different from those of the surface of the machined section. This study has been carried out and the following results have been obtained. 1. Measurement conditions of photoelectron reflection measurement of machined cross section, measurement conditions of sample, spatial arrangement of detector, etc., measurement conditions of photoelectron reflection measurement of machined cross section, spatial arrangement of sample, detector, etc., measurement conditions of photoelectron reflection measurement of machined cross section, measurement conditions of photoelectron reflection measurement of sample, spatial arrangement of photoelectron reflection measurement of sample, etc., measurement conditions of photoelectron reflection measurement of machined cross section, etc., measurement conditions of photoelectron reflection measurement of machined cross section, etc., measurement 2. The evaluation of Cr-L, Al-K and Cu-K light sources of high-intensity X-ray generator and the measurement of photoelectron intensity of high-intensity X-ray generator. 3. Photoelectron reflection measurement device for thin film surface structure analysis, light source measurement device for two-dimensional photoelectron reflection measurement of Ge (111) surface, electron reflection measurement device for two-dimensional photoelectron reflection measurement of Ge(111) surface, electron reflection measurement device for two-dimensional photoelectron reflection measurement of Ge(111) surface, electron reflection measurement device for two-dimensional photoelectron reflection measurement of Ge (111) surface. The processing equipment and the photoelectron folding equipment on the record are directly connected with the processing section evaluation during the processing time. The machining equipment is operated and the machining section is evaluated. The performance is confirmed.