高エネルギーX線光電子回折による埋もれた界面のリアルタイム構造評価法の開発

开发利用高能X射线光电子衍射的埋入界面实时结构评估方法

• 批准号: 15750064
• 负责人: 石井 秀司
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2004
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15750064/
• 关键词: 光電子回折; 高エネルギー光電子検出; 界面; 化学状態分析; 乾電池X線発生装置; X線吸収微細構造; シリサイド半導体; 高分解能蛍光X線分光; 表面; 薄膜構造; 高耐圧アナライザー; Cu-K励起; リアルタイム測定

本研究ではCu-K励起の高エネルギーX線光電子回折法を用いたリアルタイム界面分析・評価法の開発として、埋もれた界面に対して秒単位での光電子回折パターン(角度分布パターン)の取得を目的とした。しかしながら昨年度の研究成果より、別途開発の遅れていた高エネルギー光電子検出器および高エネルギーX線源が必ずしも申請時に想定した性能に達していないことがわかった。そのため本年度は申請当初の予定を方向修正して、高エネルギーX線光電子回折測定システムの改良と、他光源の併用によるリアルタイム測定や界面測定を目指すこととした。高エネルギーX線光電子回折測定システムの改良は現在も継続中であるが、Al-K励起での軽元素単原子薄膜界面構造の解析が可能となった。また通常のAl-K励起でのリアルタイム測定は1msまで可能であることを確認した。さらには、Al-K光源による本装置での全反射光電子分光測定や差分光電子ホログラフィー測定などの高機能化測定についても実験を行い、薄膜界面解析等の要素および周辺技術の開発を行った。同時にマルチエネルギー強力X線装置の発生X線強度の経時変化およびその際の最適X線発生条件の検討も行った。また高エネルギーX線の応用として、乾電池X線発生装置を用いた環境試料などに対する蛍光X線分析や同装置によるX線微細構造測定などを行った。またシリサイド半導体のシリコン原子の化学状態について、高分解能蛍光X線分光により明らかにした。

In this study, Cu-K is used to stimulate the use of photovoltaic photovoltaic foldback method. The interface analysis method is used to analyze the photovoltaic device, and the embedded interface is used to achieve the purpose of photovoltaic photovoltaic analysis (angular distribution radar). In the past year, the results of the research were reviewed, and the output of high-performance photovoltaic devices was designed to meet the requirements of the research results of the previous year. This year, we applied for the original predetermined direction correction system, the high-speed equipment X-ray photovoltaic system, the light source system, and the other light source system. It is possible to analyze the interface of the atomic thin film of the elements activated by the Al-K. Usually, the Al-K prompts you to confirm that the 1ms may be confirmed. In this device, the total reflection optoelectronic spectrometer is used for the determination of total reflection optoelectronic spectroscopy. The Al-K light source is used for the determination of total reflection optoelectronic spectroscopy. This equipment is used for the determination of total reflection optoelectronic spectroscopy. At the same time, it is necessary to improve the strength of the X-ray device to improve the strength of the X-ray. The equipment of the X-ray equipment of the dry battery and the X-ray equipment of the dry battery are used for X-ray analysis and X-ray microanalysis. The chemical state of the atom, the chemical state of the atom, the high decomposition energy, the X-ray spectroscopy, the atomic mass spectrum, the atomic energy, the chemical state, the chemical state, the chemical

项目成果

Surface structural analysis of monolayer films composed of light elements by X-ray photoelectron diffraction

X射线光电子衍射分析轻元素单层薄膜的表面结构

• 发表时间: 2004
• 期刊: Surf.Interface Anal. 36
• 作者: M.Mitsumi;S.Umebayashi;Y.Ozawa;M.Tadokoro;H.Kawamura;K.Toriumi;Hitoshi NAKAMURA
• 通讯作者: Hitoshi NAKAMURA

Effective charge on silicon atom in metal silicides, Mg_2Si and CaSi

金属硅化物、Mg_2Si和CaSi中硅原子的有效电荷

• 发表时间: 2005
• 期刊: Phys.Rev.B (印刷中)
• 作者: K.Saito;S.Ikeuchi;Y.Nakazawa;A.Sato;M.Mitsumi;T.Yamashita;K.Toriumi;M.Sorai;石井秀司;Hitoshi NAKAMURA
• 通讯作者: Hitoshi NAKAMURA

Development of Photoelectron Spectro-holography apparatus

光电子能谱全息装置的研制

• 发表时间: 2005
• 期刊: Surf.Interface Anal. 37
• 作者: Hitoshi NAKAMURA

マルチエネルギー強力X線光源強度の加速電圧依存性とその経時変化

多能强X射线光源强度的加速电压依赖性及其随时间的变化

• 发表时间: 2005
• 期刊: X線分析の進歩 36
• 作者: K.Saito;S.Ikeuchi;Y.Nakazawa;A.Sato;M.Mitsumi;T.Yamashita;K.Toriumi;M.Sorai;石井秀司
• 通讯作者: 石井秀司

Keiji TAMURA: "Highly Angular Resolved X-ray Photoelectron Diffraction from Solid Surfaces"Surf.Rev.Lett.. 10. 257-261 (2003)

Keiji TAMURA：“固体表面的高度角分辨 X 射线光电子衍射”Surf.Rev.Lett.. 10. 257-261 (2003)