化学気相含浸法による炭化ケイ素基耐熱フィルターの作製

化学气相浸渍法制备碳化硅基耐热过滤器

• 批准号: 12750627
• 负责人: 大澤 善美
• 金额: $ 0.32万
• 依托单位: Aichi Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12750627/
• 关键词: CVD; CVI; 炭化ケイ素; ハニカム; セラミックスフィルター; 触媒担体; 化学気相含浸法; 多孔質体; DPF

ポリウレタンフォーム、フェノール系フォームを円柱状に成形したもの、及びコルゲート成形紙を巻き上げ加工したものを、アルゴンガス中、1000℃で4時間、熱処理し、多孔質炭素化物プリフォームを作製した。これらプリフォームに、化学気相含浸法(CVI)法を用いて炭化ケイ素を部分充填することにより、炭化ケイ素基多孔質体を合成し、耐熱セラミックスフィルターとして適用可能か明らかにすることを目的に検討を行った。本年度は、コルゲート成形紙から得たプリフォームからのハニカム型炭化ケイ素基多孔体の作製とフィルター特性の評価を行い、以下の成果を得た。ハニカム構造体の壁厚とセルピッチを変化させたコルゲート型炭素化紙にSiCl4(4%)-CH4(4%)-H2ガス系からSiCを充填することで種々幾何形状のSiC基ハニカム成形体を作製した。特に、押し出し後焼結する方法では困難な50μm以下の壁厚のハニカムを作製可能であることを見いだした。壁厚(t)とセルピッチ(d)を減少することで、圧力損失(ΔP)を増加させることなく幾何学的表面積(S)を増加させることが、あるいは、Sを減少させずにΔPを減らすことができることを確認した。ハニカム構造体のΔPを、Sと、t及びdから計算される開口率αに関係づけて考察し、ΔP∝S^2α^3の関係を導き、実験によって確証した。ハニカム構造体の軸方向の圧縮強度は1αに比例的に増加した。強度とΔP、Sをdとtに定量的に関係づけし、構造パラメータdとtから、ハニカム構造体の特性(強度、ΔP、S)を予測可能とした。

The equipment is used in the forming of the cylinder, the forming of the cylinder, the processing of the forming, the temperature, the temperature and the temperature. The chemical phase impregnation (CVI) method was used to partially fill the resin with carbonization. The porous materials were partially filled with carbonization, and the porous materials were synthesized. This year, we have obtained the following results in the preparation of porous materials, such as the formation of porous materials, the formation of porous materials, the properties of porous materials, and the following results. The thickness of the wall of the structure, the wall thickness, the wall thickness, the wall thickness The thickness of the wall is less than 50 μ m and the wall thickness is lower than 50 μ m. The thickness of the wall (t) is different from that of the wall (d). The thickness of the wall (t) is different from that of the wall (d). The thickness of the wall (t) is different from that of the wall (d). The wall thickness (t), force loss (Δ P), force loss (Δ P), force loss (Δ P) and force loss (Δ P). The structure of the system, Δ P, S, t and d, is used to calculate the opening rate of the system. The opening rate of the system is very high, and the opening rate of the system is very high. The structure of the structure is the proportion of the strength of the body in the direction of the body. The quantitative characteristics of strength Δ P, S

项目成果

Ohzawa, Yoshimi: "Preparation of SiC-based cellular substrates by pressure-pulsed chemical vapor infiltration into honeycomb-shaped paper preforms"Journal of materials science.

Ohzawa, Yoshimi：“通过压力脉冲化学蒸气渗透到蜂窝状纸预制件中制备 SiC 基多孔基材”材料科学杂志。