溶融塩電気化学プロセスを用いた新規なシランガス生成法

利用熔盐电化学过程产生硅烷气体的新型方法

• 批准号: 12750650
• 负责人: 野平 俊之
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12750650/
• 关键词: 電気化学プロセス; 溶融塩; シラン; シリコン; 電解形成; ハイドライドイオン; フロロシラン; 電解生成; フッ化シリコン

平成13年度は、浴中へのF^-イオンの添加の影響を系統的に調べ、SiH_4生成のメカニズムを明らかにすることを目的とした。まず、昨年度の結果から、発生したSiF_4が浴中のH^-イオンと反応することでSiH_4が生成するメカニズムが示唆されたため、実際に浴中にSiF_4をバブリングしてみた。生成したガスを赤外吸収分光法により分析した結果、SiH_4の生成を確認した。これにより、SiF_4からSiH_4への変換が確認された。ただし、未反応のSiF_4の存在も確認されたため、変換反応速度はあまり大きくないと考えられる。次に、金属級シリコンを電極として、電解時間を数分から30分まで変化させ、その際の電流の経時変化を測定した。LiCl-KCl-LiF中においては連続的なSiF_4発生が可能であり、シリコン電極は全面溶解することが分かった。一方、LiCl-KCl-LiF-LiH中においては、5分程度で電極が不働態化するために連続的なSiH_4発生は難しいことが分かった。ここで、不働態化した試料表面をXPSにより分析したところ、酸素と塩素が存在することが示された。以上の結果より、不働態膜は、浴中に不純物として存在する酸素が原因であることが示唆された。すなわち、予備電解等により、溶融塩中の水分を十分に除去すれば、不働態化が防げると思われる。短時間でのSiH_4発生の電流効率は、最高で約30%と見積もられた。電流効率を下げている要因は、H^-イオンからの水素ガス発生であることが分かったので、今後、H^-イオンが電極表面に到達しないように電極配置を工夫すれば、電流効率が向上することが推定される。

In Pingcheng 13, the shadow system is added in the shower, and the SiH_4 is generated to make sure that the destination is clear. The results of last year's results, the results of the previous year, the SiF_4 bath of health products, the production of sih _ 4, the results of last year's results, the results Generate the results of infrared absorption spectrophotometry, analyze the results, and generate confirmation by SiH_4. Please check, SiF_4, SiH_4 please confirm that you are sorry. There is a confirmation that the speed is different and that the speed is not correct. There are some problems in the SiF_4. Sub-station, metal-level electrical equipment, electrical active power supply, electronic time division, 30-minute battery, and current current measurement, etc. It is possible that the SiF_4 students who are connected to each other in the LiCl-KCl-LiF may be able to completely dissolve the environmental pollution caused by the use of the cathode. One party, the customer in LiCl-KCl-LiF-LiH, and the SiH_4 students who are connected to each other with an active power supply of 5 points. On the surface of the material, the XPS analysis shows that there is a difference in the content of the acid element. The above results show that there is no acid in the film and in the bath. the reason why there is acid in the bath indicates that there is a problem. In the process of heating, equipment, and other equipment, the moisture content in the melting process is very low, and the water content is very low. The generation current rate of sih _ 4 is low in a short period of time, and the maximum current rate is about 30%. The current rate is very important because of the current rate. The current rate is very high. In the future, the current rate is higher than the current rate. In the future, the current rate is higher than the current rate.

项目成果

T.Nohira: "Electrode behavior of metal grade Si and evolution of SiH_4 in molten alkali halide systems"Progress in Molten Salt Chemistry 1-Proc.of the EUCHEM 2000 Conference on Molten Salts. 373-378 (2000)

T.Nohira：“金属级 Si 的电极行为和熔融碱卤化物体系中 SiH_4 的演化”EUCHEM 2000 年熔盐会议的熔盐化学进展 1-Proc.。

T.Nohira: "Synthesis of monosilane by molten salt electrochemical process"Proc. of 6th International Symposium on Molten Salt Chemistry and Technology. 247-252 (2001)

T.Nohira：“熔盐电化学法合成甲硅烷”Proc。