权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

絶縁体/半導体異種材料単結晶超格子を用いたサブバンド間遷移レーザの研究

绝缘体/半导体异质单晶超晶格子带间跃迁激光器研究

基本信息

批准号：
13875068
负责人：
浅田雅洋
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)と弗化カドミウム(CdF_2)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に大きな(〜2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスやサブバンド間遷移レーザの実現が期待される。特にサブバンド間遷移レーザの実現には、多層積層薄膜の精密構造制御による量子井戸サブバンドの制御が必要不可欠であり、本年度の研究により以下の成果を得た。1)CdF_2/CaF_2ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域ローカルエピタキシー法を提案し、CdF_2-CaF_2二重及び三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性評価を行った。その結果、室温で再現性の良い微分負性抵抗特性を得るとともに、三重障壁,二重障壁双方の場合において,CdF_2量子井戸層の層厚制御により、微分負性抵抗のピーク位置を制御することにはじめて成功した。2)シリコン(100)基板表面を2原子層(=1結晶周期)ステップが支配的になるように構造を制御することにより、その上にCdF_2/CaF_2RTD構造の積層エピタキシャル成長に成功するとともに,その構造においてはじめて室温微分負性抵抗特性を観測した。これはシリコン(100)基板上の反位相境界による結晶欠陥の生成を抑制し、位相がそろったエピタキシャル平坦膜の形成に成功したものであり、大規模LSIのプラットフォームと弗化物系量子ヘテロ構造の形成プラットフォームを共通化することが可能となるため、応用上極めて大きな波及効果を有する成果である。

It is possible for the growth of mechanical properties on the substrate. It is possible that the bonding interface (CdF_2), the bonding interface (2.9eV), the bonding interface (2.9eV), and the thin film superlattices may be used for the growth of the substrate. At room temperature, the differential resistance is very important to show that the temperature between the two is expected to increase. It is necessary to realize the precision production and control of thin-film and multi-phase thin-film equipment in this year's research and development. 1) the structure of CdF_2/CaF_2 transistors is composed of long atomic thickness devices, long atomic thickness control devices, long crystal growth fields, micro-100nm levels, micro-fields, and so on. the proposed method, CdF_2-CaF_ 2, double and triple barriers, differential resistance characteristics, differential resistance characteristics, and so on. The results of the experiment, the room temperature rejuvenation, the differential resistance characteristic, the triple barrier, the double barrier, the CdF_2 quantum well, the differential resistance, the position, the position, the temperature, the temperature 2) on the surface of the substrate with 2 atoms (= 1 crystal cycle), the temperature differential resistance characteristics of the temperature differential resistance characteristics of the CDF _ 2/CaF_2RTD substrate have been studied successfully. In this paper, the results show that the formation of a flat film is due to the formation of a flat film, the formation of a large-scale LSI system, the formation of a system of chemical compounds, the formation of a device, the effect of the formation of the phase, the formation of the film, the formation of the system, the effect of the formation of the system, the formation of the The positive effect of the use of the drug has affected the results.