絶縁体/半導体ヘテロ超格子を用いたサブバンド間遷移レーザの研究

绝缘体/半导体异质超晶格子带间跃迁激光器研究

基本信息

  • 批准号:
    11875079
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2000
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、次世代の光-電子融合集積回路を実現するための基本素子として、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体と半導体の積層超格子を用いた量子井戸サブバンド間遷移レーザを理論的に提案し、その実現のための基礎研究として、シリコン/弗化カルシウム(CaF_2:絶縁体)および弗化カルシウム(CdF_2)/弗化カドミウム(CaF_2)ヘテロ超格子の結晶成長技術の確立、及びレーザ素子実現への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達成するため、本年度は以下の成果を得た。本年度は、超格子形成に用いる材料として、弗化カルシウム(CaF_2)および弗化カドミウム(CdF_2)を用い、この材料系を用いた超格子結晶成長と、2重障壁共鳴トンネルダイオード構造を用いた超格子サブバンドの形成確認、およびその精密制御に関する研究を行った。基板としてシリコン(111)を用い、熱酸化によって形成した15nm厚の酸化膜に、電子ビーム露光法により100nm〜400nmのサブミクロンの微小孔を形成した。この微細孔中へ数原子層オーダーの膜厚を有する弗化カルシウム、弗化カドミウム二重障壁共鳴トンネルダイオードを形成する。微細孔への成長により、弗化カルシウムの成長初期過程におけるピンホール欠陥を抑制し、素子特性の安定性・特性の均一性向上を目指した。その結果、微細孔サイズが400nmでは、ほとんどパターニングの効果は見られなかったが,微細孔サイズを200nm以下では、共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性の均一性/安定性に顕著な改善が見られるとともに、微分負性抵抗のピーク電流を与える電電圧値の均一性が著しく向上し,膜厚の制御精度が一原子層以下の正確さを有することが実験的に確認された。この成果により,本研究で提案する弗化物系ヘテロ構造を量子効果デバイスへ応用する足がかりが得られた。
In this study, the optical and electronic fusion loops of the next generation have demonstrated the formation of the crystal of the basic element and the substrate of the optical and electronic devices, which may lead to the formation of the semimetallic body and the active superlattic. it is possible to use the proposal of the theory of transfer theory of optical and electronic devices in quantum wells, and to realize the basic theory of transfer theory. The technology of crystal growth and the study of the theory of crystal growth in the crystal growth technology of CaF_2 (CaF_2) are very important in the study of the theory of crystal growth in the superlattice of crystal growth (CaF_2). The following achievements have been achieved this year. This year, the superlattice is formed by using the superlattice (CaF_2), the superlattice (CaF_2), the superlattice (CdF_2), the material system, the superlattice, the double barrier, the superlattice, and the precision control system. The substrate was used to form a thick acidified 15nm film, and the electron beam exposure method was used to determine the size of the micro-hole. In the micro-hole, the number of atoms, the thickness of the film, the double barrier, the thickness of the film, the formation of the double barrier. In the early stages of the growth of microholes, the initial growth of microholes, the inhibition of the stability and uniformity of characteristics. The results of the experiment, the results of the micro-hole, the 400nm, the micro-hole, the micro-hole, the micro- The accuracy of the film thickness is below one atom. There is a correct confirmation of the film thickness. The results show that in this study, we propose that the system of chemical compounds should be used to create quantum chemistry.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
渡辺正裕、筒井将史、浅田雅洋: "Si-CaF_2 及び CdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード"電子情報通信学会(電子デバイス研究会),ED99-316,. 99巻616号(講演番号11). 73-77 (2000)
Masahiro Watanabe、Masashi Tsutsui、Masahiro Asada:“使用 Si-CaF_2 和 CdF_2-CaF_2 异质结的硅衬底上的谐振隧道二极管” IEICE(电子器件研究组),ED99-316,第 99 卷,第 616 期。(讲座编号 11) 73-77(2000)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Watanabe,Y.Iketani,M.Asada: "Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF_2/Si/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate"Jpn.J.Appl.Phys. 39[10A]. L964-L967 (2000)
M.Watanabe、Y.Iketani、M.Asada:“在 Si(111)1°-off 衬底上生长的 CaF_2/Si/CaF_2 谐振隧道二极管结构的外延生长和电特性”Jpn.J.Appl.Phys 39[ 10A]。L964-L967(2000)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
筒井将史、渡辺正裕、浅田雅洋: "Si/CaF_2 ヘテロ構造共鳴トンネルダイオードの作製と評価"第60回応用物理学会学術講演会. 2p-ZL-9. (1999)
Masashi Tsutsui、Masahiro Watanabe、Masahiro Asada:“Si/CaF_2 异质结构谐振隧道二极管的制造和评估”日本应用物理学会第 60 届年会(1999 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Watanabe,Y.Aoki,W. Saitoh and M.Tsuganezawa: "Negative Differential Resistance of CdF_2/CaF_2 Resonant Tunneling Diode on Si(111) Grown by Partially Ionized Beam Epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys. 38巻2A号. L116-L118 (1999)
M.Watanabe、Y.Aoki、W. Saitoh 和 M.Tsuganezawa:“部分离子束外延生长的 Si(111) 上的 CdF_2/CaF_2 谐振隧道二极管的负微分电阻”J. Appl. 第 38 卷。 2A第L116-L118号(1999)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Watanabe,T.Funayama,T.Teraji,N.Sakamaki: "CaF_2/CdF_2 Double-Barrier Resonant Tunneling Diode with High Room-Temperature Peak-to-Valley Ratio"Jpn.J.Appl.Phys. 39[7B]. L716-L719 (2000)
M.Watanabe、T.Funayama、T.Teraji、N.Sakamaki:“具有高室温峰谷比的 CaF_2/CdF_2 双势垒谐振隧道二极管”Jpn.J.Appl.Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

浅田 雅洋其他文献

36m長尺平板模型による間欠的気泡注入による空気潤滑法の高効率化
使用36m长平板模型通过间歇式气泡注入提高空气润滑效率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 雄成;マイ ヴァンタ;兪 熊斌;鈴木 左文;浅田 雅洋;田中泰爾,大石義彦,朴炫珍,田坂裕司,村井祐一,川北千春
  • 通讯作者:
    田中泰爾,大石義彦,朴炫珍,田坂裕司,村井祐一,川北千春
共鳴トンネルダイオードプッシュプッシュテラヘルツ発振器の提案
谐振隧道二极管推推式太赫兹振荡器的提出
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐藤 太一;浅田 雅洋;鈴木 左文
  • 通讯作者:
    鈴木 左文
円筒形空洞共振器集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
圆柱腔谐振器集成谐振隧道二极管太赫兹振荡器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    泉 龍之介; 佐藤 匠; 鈴木 左文;浅田 雅洋
  • 通讯作者:
    浅田 雅洋
共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器を用いたサブキャリアFMCWレーダによるリアルタイム距離測定
使用谐振隧道二极管太赫兹振荡器的副载波 FMCW 雷达进行实时距离测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤 滋亜;ドブロユ アドリアン;鈴木 左文;浅田 雅洋;伊藤 弘
  • 通讯作者:
    伊藤 弘
注入同期による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の位相制御
使用注入锁定的谐振隧道二极管太赫兹振荡器的相位控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 雄成;マイ ヴァンタ;兪 熊斌;鈴木 左文;浅田 雅洋
  • 通讯作者:
    浅田 雅洋

浅田 雅洋的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('浅田 雅洋', 18)}}的其他基金

周波数可変機能を持つ半導体室温テラヘルツ発振素子の研究
具有变频功能的半导体室温太赫兹振荡器研究
  • 批准号:
    26249045
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
超高速テラヘルツ通信のためのダイナミック漏れ波アンテナの研究
超高速太赫兹通信动态漏波天线研究
  • 批准号:
    14F04722
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体共鳴トンネル構造によるコヒーレントテラヘルツデバイスの研究
利用半导体谐振隧道结构的相干太赫兹器件研究
  • 批准号:
    21246055
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
テラヘルツ帯の増幅・発振デバイス
太赫兹波段放大/振荡装置
  • 批准号:
    13026207
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
絶縁体/半導体異種材料単結晶超格子を用いたサブバンド間遷移レーザの研究
绝缘体/半导体异质单晶超晶格子带间跃迁激光器研究
  • 批准号:
    13875068
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
電界制御と量子効果による新しい原理を用いた金属/絶縁体多機能デバイスの研究
基于电场控制和量子效应的新原理金属/绝缘体多功能器件研究
  • 批准号:
    08875071
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
歪量子細線構造を用いる低雑音・高飽和半導体光増幅器に関する基礎研究
利用应变量子线结构的低噪声、高饱和度半导体光放大器的基础研究
  • 批准号:
    05212207
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
量子細線構造半導体光増幅器に関する基礎研究
量子线结构半导体光放大器基础研究
  • 批准号:
    04228205
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体量子箱レーザの動作特性に関する研究
半导体量子箱激光器工作特性研究
  • 批准号:
    01750361
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
量子井戸の電界印加による屈折率変化を利用した光スイッチの基礎研究
利用量子阱电场引起的折射率变化进行光开关的基础研究
  • 批准号:
    63750371
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了